Formation of Self aligned contact for vertical transistors, and vertical transistors included contact-hole

본 발명은 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터에 관한 것으로, 기판, 소스층, 채널층, 드레인층, 산화막, 및 실리콘층을 순차적으로 적층하여 필러를 형성하고, 산화막을 도포한 후 필러의 상부에 실리콘층이 드러나도록 하여, 외부로 노출된 실리콘층을 제거함으로써 컨택홀을 형성한다. 본 발명에 의하면, 추가의 포토 마스크 없이 정확하게 자기 정렬된 컨택 홀을 형성할 수 있으며, 형성된 컨택 홀에 컨택 금속을 삽입하고 금속 배선을 형성하여 수직 트랜지스터를 제작함에 따라 정렬 오류(misalign)에 따른 패턴 시프트 (patteren shift) 현상을 제거하는 효과를 가져온다. 컨택 홀, 실리콘층, 자기 정렬, 수직 트랜지스

ALIGNMENT APPARATUS FOR MANUFACTURING EDGE OF GLASS SUBSTRATE AND ITS METHOD

본 발명은 유리 기판의 에지 가공을 위한 정렬 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 안착대의 상부에 구비된 길이방향으로 긴 안착가이드레일에 유리 기판이 지지되는 안착 부재와, 상기 안착대 및 유리 기판의 사이에 구비되어 상기 유리 기판의 에지 라인을 가공하는 가공 부재와, 상기 가공 부재에 구비된 센싱홀을 통해 정렬 정보를 취득하는 센싱 부재와, 상기 취득된 정렬 정보를 통해 상기 가공 부재를 이동시켜 상기 에지 라인과 가공 기준선을 정렬시키는 이동 부재를 포함함으로써, OLED에 사용되는 유리 기판을 절단한 후, 유리 기판의 에지 부분을 평탄화시킬 경우 정해진 기준선을 따라 정렬시키면서 가열 및 평탄화시킬 수 있다

Photomask for manufacturing capping wafer for wafer level package and method of manufacturing capping wafer for wafer level package using the same

본 발명은, 웨이퍼 레벨 패키지를 위한 충분한 접합 영역을 제공할 수 있는 웨이퍼 레벨 패키지용 캡핑 웨이퍼의 제조를 위한 포토마스크를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 레벨 패키지용 캡핑 웨이퍼의 제조를 위한 포토마스크는, 투광 기저부; 및 상기 투광 기저부 상에 위치하는 차광 패턴을 포함하고, 상기 차광 패턴은, 제1 라인 패턴; 상기 제1 라인 패턴과 일정한 각도로 연결된 제2 라인 패턴; 및 상기 제1 라인 패턴과 상기 제2 라인 패턴에 연결되고, 상기 제1 라인 패턴과 상기 제2 라인 패턴이 형성하는 외각 영역으로 돌출된 과식각 방지 돌출 패턴;을 포함한다

Numerical Analysis on the Flow and Heat Transfer Characteristic of Wood-flour-filled Polypropylene Melt in an Extrusion Die

A three-dimensional numerical analysis of the flow and heat transfer characteristic of wood-flour-filled polypropylene melt in an extrusion die was carried out. Used for this analysis were Finite Concept Method based on FVM, unstructured grid and non-Newtonian fluid viscosity model. Temperature and flow fields are closely coupled through temperature dependent viscosity and viscous dissipation. With large Peclet, Nahme, Brinkman numbers, viscous heating caused high temperature belt near die housing. Changing taper plate thickness and examining some predefined parameters at die exit investigated the effect of taper plate on velocity and temperature uniformities. In the presence of taper plate, uniformity at die exit could be improved and there existed an optimum thickness to maximize it. 기호설명: 온도 이전인자(temperature shift factor): 단위몰당 활성화 에너지: 주유동방향(y) 특성길이: 다이 두께방향(z) 특성길이: 다이 폭방향(x) 특성길이: 점도지표(consistency index): 지수법칙지표(power law index): 기준온도* 회원, 서울대학교 대학원 기계항공공학부N

THE CAPACITORLESS DRAM AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF

본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다