21 research outputs found
๊ฒ๋์ ์ง๊ฒ ์ฌ์ ๋ด๋ ค๋ฒ ๊ธฐ ๋์๋ถ์
ํ์๋
ผ๋ฌธ(์์ฌ)--์์ธ๋ํ๊ต ๋ํ์ :์ฒด์ก๊ต์ก๊ณผ,1998.Maste
์ค๋ฑํ๊ต ์ฒด์ก๊ต์ฌ์ ์์ ์ง์์ ๊ดํ ๋ฌธํ๊ธฐ์ ์ ์ฐ๊ตฌ
ํ์๋
ผ๋ฌธ(์์ฌ)--์์ธ๋ํ๊ต ๋ํ์ :์ฒด์ก๊ต์ก๊ณผ,1995.Maste
Method of short channel field-effect transistor fabrication without or minimizing surface roughness scattering
๋ณธ ๋ฐ๋ช
์ ํ๋ฉด ๊ฑฐ์น ๊ธฐ ์ฐ๋์ ์ต์ํ ๋๋ ์์ค ๊ณ ์ฑ๋ฅ ์ ์ ๋ ฅ ์ ๊ณํจ๊ณผ ํธ๋์ง์คํฐ ์์์ ์ ์กฐ๋ฐฉ๋ฒ์ ๊ดํ ๊ฒ์ผ๋ก์, ์คํธ๋ ์ธ๋ ์ค๋ฆฌ์ฝ ๊ธฐํ์ ํ ๊ตฌ์กฐ๋ก ์์นญํ๋ ์ 1 ๋จ๊ณ; ๊ทธ ์์ ์ธ๋ํ๋ SiGe๋ฅผ ์ ์ธตํ๋ ์ 2 ๋จ๊ณ; ์๊ธฐ ์ธ๋ํ๋ SiGe์ ์์นญํ๋ ์ 3๋จ๊ณ; ๋ฆฌ์๊ทธ๋ผํผ ํ ์์นญํ๋ ์ 4 ๋จ๊ณ; ๊ทธ ์์ ๋ํ๋ SiGe์ ์ ์ธตํ๋ ์ 5 ๋จ๊ณ; ์๊ธฐ ๋ํ๋ SiGe์ ๋ฆฌ์๊ทธ๋ผํผ ํ ์์นญํ๋ ์ 6 ๋จ๊ณ; ๋ฐ ์๊ธฐ ๋ํ๋ SiGe ์์ ์ฐํ๋ฌผ๊ณผ ๊ฒ์ดํธ ๊ธ์์ ์ฐจ๋ก๋ก ์ ์ธตํ์ฌ ํธ๋์ง์คํฐ ์์๋ฅผ ๊ตฌ์ฑํ๋ ๋จ๊ณ๋ฅผ ํฌํจํ์ฌ ์ด๋ฃจ์ด์ง๋ฉฐ, FinFET์ ์ฅ์ ์ธ ์ข์ ์ฑ๋ ์ ์ด๊ฐ๋ฅ์ฑ, ๋์ ์จ ์ปค๋ฐํธ(on-current)์ HEMT์ ์ฅ์ ์ธ ์ ์์ ๋์ ์ด๋๋๋ฅผ ๋ชจ๋ ์ทจํ ์ ์๋ Fin HEMT๋ฅผ ๊ตฌํํ ์ ์๋ ํจ๊ณผ๊ฐ ์๋ค.ope