다층 모델 쌓기를 통한 반도체 공정 데이터 분석

학위논문 (석사) -- 서울대학교 대학원 : 자연과학대학 통계학과, 2020. 8. 오희석.This study examines the effect of multi-stage stacked generalization via semiconductor data analysis. Stacked generalization (or stacking) has been popular in the scene of machine learning, especially for data competition such as Kaggle. Stacking is an ensemble method that combines different machine learning algorithms to produce best result. It stacks the predictions from base learners and use them as input for high-level learner. For constructing ensemble models with multi-stage stacking, gradient boosting libraries such as XGBoost and LightGBM play important roles as higher-level learners. Gradient boosting libraries are widely used due to its efficiency, accuracy and interpretability and achieves better performance in stacking model than other algorithms. Through semiconductor data, we verify that multi-stage stacking model with gradient boosting libraries as high-level learners shows relatively good performance compared to single models or other stacking models.본 학위논문은 반도체 공정 데이터 분석을 통해 다층 모형 쌓기(multi-stage stacked generalization)의 효과를 살펴보는 것을 주 목적으로 한다. 모형 쌓기는 기계학습 분야, 특히 Kaggle과 같은 데이터 분석 경진대회에서 널리 사용되고 연구되었다. 서로 다른 알고리즘들을 결합하여 최적의 결과를 도출하는 앙상블 방법 중 하나이다. 다수의 학습기들을 훈련시켜 얻은 결과물을 다시 인풋으로 활용하여 더 높은 계층의 학습기로 훈련시켜 최종 결과를 도출하는 방법이다. 이런 모형 쌓기를 활용한 앙상블 모형의 구성에 있어 그라디언트 부스팅 계열의 XGBoost와 LightGBM이 높은 계층의 학습기로서 중요한 역할을 수행하였다. 그라디언트 부스팅 라이브러리들을 높은 계층의 학습기로서 활용한 다층 모형 쌓기의 효과를 단일 모형 혹은 다른 앙상블 모형들과 비교함으로써 확인하였다.1 Introduction 1 2 Overview 3 2.1 GradientBoosting 3 2.1.1 Boosting 3 2.1.2 Gradienttreeboosting 4 2.2 XGBoostandLightGBM 9 2.2.1 XGBoost 9 2.2.2 LightGBM 10 2.3 StackedGeneralization 12 3 Application 14 3.1 DatasetandSetup 14 3.2 Comparison 15 4 Conclusion 18Maste

AF-Map : Alignment-fault based event-driven memory access profiler

학위논문(석사) - 한국과학기술원 : 정보보호대학원, 2018.2,[iii, 30 p. :]어플리케이션을 대상으로 하는 메모리 접근 프로파일링은 소프트웨어 보안 분야에서 중요한 기법 중 하나이다(말웨어 분석, 소프트웨어 디버깅, 런타임 데이터 체킹 등). 프로그램의 메모리 접근을 프로파일 하기 위해서 DBI(Dynamic Binary Instrumentation), 페이지 폴트 그리고 하드웨어에서 제공하는 중단점 기능 등을 이용해 왔다. 이 논문은 힙 오브젝트를 대상으로 메모리 프로파일링을 할 수 있게 해 주는 새로운 방식의 기술인 AF-Map을 소개하며 동시에 AF-Map의 효율성과 한계에 대해 기술하고 있다. AF-Map은 CPU가 메모리에 4의 배수(혹은 8의 배수) 가 아닌 정렬되지 않은 메모리 주소에 접근할 때 발생하는 Alignment Fault를 기반으로 한다. AF-Map은 분석 하고자 하는 대상 메모리의 크기가 작을수록 높은 효율성을 보이는 장점을 가진다. 제안하고자 하는 기술을 보다 명확하게 증명하기 위해, 이 논문에서는 다양한 종류의 대상 프로그램과 벤치마크 프로그램들을 사용하였다.한국과학기술원 :정보보호대학원

(A)Study on a compact hydrogen ion source using helicon plasma

학위논문(박사)--서울대학교 대학원 :원자핵공학과,2005.Docto

최소 자승법을 이용한 전기자동차 리튬 이온 배터리의 연결 고장 진단

Master전기 자동차 시장은 계속해서 증가하고 있다. 따라서, 전기 자동차의 주 에너지 원으로 사용되는 리튬 이온 배터리의 고장 진단에 대한 연구도 중요하다. 특히 배터리 연결 고장이 일어나는 경우 전기 자동차의 가속 불량으로 사고가 발생 할 수 있다. 기존의 연결 고장 진단 알고리즘은 전류가 급격하게 변화하는 경우 적용하기 힘든 단점이 있다. 이를 보완하기 위해 최소 자승법을 이용해 고장 신호를 분리하여 연결 고장을 진단하는 알고리즘을 제안 하였다.This paper proposes a method to identify a connection fault for an Li ion battery of an Electric Vehicle. When Li ion battery has connection fault, a fault voltage signal will be mixed to non-fault voltage signal. To separate these two signal, We used an least square method. Then the fault signal was evaluated using root mean square. The result shows that this algorithm is useful to connection fault detection

Transparent conductive Al-doped ZnO thin films deposited by RF Magnetron Sputtering

학위논문 (석사)-- 서울대학교 대학원 : 재료공학부, 2012. 8. 유상임.투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)은 태양전지, 디스플레이, 광학 소자 등 다양한 분야에서 전극용 재료로서 사용되고 있다. 현재 투명전극 물질로서 가장 많이 사용되고 있는 재료는 전기적, 광학적으로 우수한 특성을 보이는 ITO(Sn-doped indium oxide)이지만 고가인 인듐의 양을 줄이거나 완전히 대체할 수 있는 물질의 연구개발 필요성이 크게 대두되고 있다. 이러한 목적으로 본 연구에서는 AZO(Al-doped ZnO)에 대하여 박막제조 공정 및 박막의 배향성 제어를 통해 전기적 특성을 최적화함으로서 ITO 대체 가능성을 규명하고자 하였다. 본 실험에서는 먼저 소결온도 1500℃, 1650℃에서 1, 2, 3 wt%의 Al2O3가 도핑된 ZnO 타겟을 제조하였고, 이 타겟들을 사용하여 RF magnetron sputtering법으로 α-sapphire(0001), MgO(100), 그리고 fused silica glass 기판 위에 AZO 박막을 성장시켰다. 기판과 타겟 사이의 거리(DTS) 10 cm에서, 기판온도(200∼600℃)와 아르곤 분압(1, 3, 5 mTorr)을 조절함으로서 박막의 전기적 특성을 최적화하였고, 그 후 5 cm의 DTS에서 스퍼터링 파워(40∼220 W), 기판온도(300∼450℃) 및 아르곤 분압(1, 3, 5 mTorr)을 조절함으로서 공정조건을 최적화 하고자 하였다. 여러 공정 변수를 변화시켜가며 증착된 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 다양한 분석 방법을 통하여 살펴보았다. 본 실험결과, 모든 타겟은 96%이상의 높은 소결 밀도를 가졌고, 도핑 농도가 증가할수록 비저항이 낮아지는 결과를 보였다. XRD 분석을 통해서 소결 온도가 높을수록 이차상인 AlZn2O4 spinel상의 양이 줄어드는 것을 확인할 수 있었다. θ-2θ 분석과 pole-figure를 통한 박막의 구조 분석을 통해서 sapphire, MgO, 유리 기판 위에 박막이 각각 biaxial texture, mixed biaxial texture, 그리고 fiber texture의 배향성을 갖고 성장한 것을 확인할 수 있었고, 이러한 박막의 구조적 차이에 의해 AZO 박막이 다른 전기적 특성을 보이는 것을 확인하였다. 10 cm의 DTS와 200 W의 스퍼터링 파워에서 sapphire 단결정 기판 위에 증착된 AZO 박 막은 기판온도가 증가함에 따라 전하이동도는 계속해서 증가하였지만 전하밀도가 450℃부터 감소하여 450℃에서 가장 낮은 비저항을 보였다. MgO 단결정 위에서 증착된 박막은 전하밀도와 전하이동도가 모두 기판온도가 증가함에 따라서 증가하다가 감소하는 경향을 보이면서 425℃에서 가장 낮은 비저항을 나타내었고, glass 기판 위에 증착된 박막도 유사한 경향성을 보이며 375℃에서 가장 좋은 비저항을 나타내었다. 모든 기판 위에서 1 mTorr의 아르곤 분압에서 가장 좋은 비저항 값을 나타내었고 sapphire, MgO, glass기판 위에서 각각 5.18x10-4Ω-cm, 7.31x10-4Ω-cm, 4.36x10-4Ω-cm의 비저항을 나타내었다. 5 cm의 DTS에서 증착된 박막은 sapphire, MgO 위에 증착된 박막은 200W-375℃, glass 기판 위에서 증착된 박막은 80W-325℃에서 최적의 전기적 특성을 나타내었고, 모든 기판 위에서 1 mTorr의 아르곤 분압에서 각각 3.35x10-4Ω-cm, 3.57x10-4Ω-cm, 4.22x10-4Ω-cm의 낮은 비저항을 나타내었다. 모든 기판 위에서 1650℃에서 소결된 1wt% 도핑된 AZO 타겟을 사용하였을 때 가장 우수한 전기적 특성(∼10-4Ω-cm)과 광학적 특성(투광도∼85%)을 얻을 수 있었다. 결론적으로 AZO 박막 제조 공정의 최적화와 박막의 배향성을 제어함으로서 기존의 ITO 박막에 버금가는 우수한 전기 전도성을 얻을 수 있었다. 이를 통해서 산업용 유리 기판 위에 epitaxy MgO나 sapphire 층을 올린 후 AZO 박막을 제조할 수 있는 기술이 발전된다면 현재 사용되고 있는 값비싼 ITO를 충분히 대체할 수 있을 것으로 사료된다.1. 서론 1 2. 문헌연구 5 2.1 ZnO의 특성 5 2.1.1 ZnO의 구조적 특성 5 2.2.2 ZnO의 전기적 특성 5 2.2.3. ZnO의 광학적 특성 6 2.2 Sputtering 방법 7 3. 실험 방법 11 3.1 AZO 타겟 제조 및 박막 증착 11 3.1.1 타겟 제조 11 3.1.2 Sputter법을 이용한 박막의 증착 11 3.2 AZO 벌크 시편 및 박막의 특성 분석 12 3.2.1 소결 밀도 측정 12 3.2.2 4-point-probe를 통한 벌크 시편의 전기적 특성 13 3.2.3 X-ray diffraction 13 3.2.4 UV Spectroscopy 14 3.2.5 Hall measurement 14 3.2.6 미세 조직 관찰 16 4. 실험 결과 및 고찰 19 4.1 고상 소결법에 의한 AZO 타겟 제조 및 벌크 특성 19 4.2 Sputter 공정변수가 AZO 박막의 특성에 미치는 영향 23 4.2.1 Sputtering power에 따른 AZO 박막의 특성 변화 24 4.2.2 기판온도에 따른 AZO 박막의 특성 변화 33 4.2.3 아르곤 분압에 따른 AZO 박막의 특성 변화 40 4.2.4 도핑농도에 따른 AZO 박막의 특성 변화 48 4.2.5 AZO 박막의 in-plane texture 53 5. 결론 57 참고문헌 60 Abstract 66Maste

고전압발생장치의 설계, 제작, 시험에 관한 연구

학위논문(석사)--서울대학교 대학원 :원자핵공학과 핵융합전공,1999.Maste

리튬 이온 배터리 팩의 정전류 방전 곡선을 이용한 배터리 팩 SOC 불균일 정도 추정

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