太阳能电池及其制造方法

本发明提供了太阳能电池及其制造方法。具体地，本发明的太阳能电池包含自下而上依次叠加的n GaAs层、主副栅结构、有机功能层和金属层，其中，所述主副栅结构的主栅和副栅的下方具有欧姆接触层，并且，所述副栅及其下方的欧姆接触层由绝缘层完全覆盖，其中，所述主栅作为负电极；所述有机功能层叠加在具有所述副栅的区域的表面上方；所述金属层叠加在所述有机功能层上，作为正电极。本发明的太阳能电池具有更好的性能和更低的制造成本

利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法

一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一石墨衬底，将石墨衬底抛光；步骤2：在磁控溅射室里，将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜；步骤3：溅射结束后自然降温，形成样品；步骤4：将样品置于快速热退火炉里，快速退火，完成多晶硅薄膜的制作

单片集成的微型太阳电池阵列及其制备方法

本发明一种单片集成的微型太阳电池阵列，其中包括：一衬底；掺杂层，该掺杂层生长在衬底的上面的两侧；一太阳电池功能层，生长在掺杂层的上面；一帽子层，生长在太阳电池功能层的上面，该帽子层的面积小于太阳电池功能层的面积，与太阳电池功能层一侧端对齐；一下绝缘填充层，填充在掺杂层之间，且覆盖于太阳电池功能层的一端及帽子层一端和部分表面；一金属遮光层，生长于下绝缘填充层中间之上，其面积小于下绝缘填充层的面积；一上绝缘填充层，覆盖于下绝缘填充层和金属遮光层；一金属电极，生长于一侧的掺杂层之上，且覆盖于上绝缘填充层及大部分帽子层的上表面

Design and optimization of a monolithic GaInP/GaInAs tandem solar cell

We have theoretically calculated the photovoltaic conversion efficiency of a monolithic dual-junction GaInP/GaInAs device,which can be experimentally fabricated on a binary GaAs substrate.By optimizing the bandgap combination of the considered structure,an improvement of conversion efficiency has been observed in comparison to the conventional GaInP2/GaAs system.For the suggested bandgap combination 1.83 eV/1.335 eV,our calculation indicates that the attainable efficiency can be enhanced up to 40.45%（300 suns,AM1.5d） for the optimal structure parameter（1550 nm GaInP top and 5500 nm GaInAs bottom）,showing promising application prospects due to its acceptable lattice-mismatch（0.43%） to the GaAs substrate.</span

在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法

一种在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1：在普通玻璃衬底上用磁控溅射沉积制作铝薄膜，形成样品；步骤2：将样品在空气中暴露以制作氧化膜；步骤3：将制作有氧化膜样品的表面利用磁控溅射沉积非晶硅薄膜；步骤4：利用快速热处理设备，将制作有非晶硅薄膜的样品进行退火处理，完成多晶硅薄膜的制作

Ag surface plasmon enhanced double-layer antireflection coatings for GaAs solar cells

Surface plasmon enhanced antireflection coatings for GaAs solar cells have been designed theoretically.The reflectance of double-layer antireflection coatings(ARCs) with different suspensions of Ag particles is calcu-lated as a function of the wavelength according to the optical interference matrix ..