利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法

 一种利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法,包括如下步骤：步骤1：在待制备T型栅的样品上面淀积介质钝化层；步骤2：在介质钝化层上涂覆抗蚀剂；步骤3：利用光子束超衍射纳米加工技术,在抗蚀剂上曝光,显影,定影,形成栅足图形；步骤4：用RIE刻蚀技术,将栅足图形下面的介质钝化层刻蚀,形成沟槽；步骤5：将残余的抗蚀剂洗去,在介质钝化层上涂覆光刻胶；步骤6：利用光子束超衍射纳米加工技术,在光刻胶上曝光,显影,定影,形成栅头图形；步骤7：在光刻胶上蒸发栅极金属；步骤8：去除光刻胶,在介质钝化层的沟槽和栅头图形上形成三维T型的金属电极

具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路

本发明公开了一种具有图像分割功能的脉冲耦合神经网络的实现电路，该电路包括整合激发神经元电路和权重自适应电路，其中，整合激发神经元电路接收外部像素点的灰度值信号和神经元之间内部的互连信号，权重自适应电路调整两神经元之间的相互耦合强度，作为整合激发神经元之间的内部互连信号。利用本发明，通过调节神经元间的耦合强度，可方便地对图像进行不同层次的分割，且分割速度很快；并且考虑了邻域像素对其的影响，故抗噪能力明显增强

微纳加工技术在光电子领域的应用

纳米光电子器件正在成为下一代光电子器件的核心。文章介绍了电子束光刻和电感耦合等离子体刻蚀为代表的徽纳加工技术在光电子学器件中的应用。主要包括量子点激光器、量子点THz探测器和光子晶体器件

SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法

 一种SiO2/SiN双层钝化T型栅AlGaN/GaN?HEMT,包括：一衬底,在衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN本征层和AlGaN势垒层；源漏电极,该源漏电极制作在势垒层上面的两侧；一下钝化层,制作在源漏电极之间及势垒层的上面；一上钝化层,制作在源漏电极之间及下钝化层的上面；其中该下钝化层和上钝化层的中间有一条形栅槽；一栅电极,其断面为T形,制作在该下钝化层和上钝化层的条形栅槽内,栅电极上部高于上钝化层的表面

依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法

一种依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)以绝缘体上硅作为衬底；(b)在衬底上沿晶向方向进行划片，作为曝光时的参考方向；(c)将衬底进行热氧化，生成二氧化硅掩膜层；(d)采用电子束曝光，生成平面图形；(e)采用各向同性腐蚀液对二氧化硅掩膜层进行腐蚀；(f)再采用各向异性湿法腐蚀，在二氧化硅掩膜层下的硅层上获得依赖晶面的三维限制硅纳米结构