含铰间隙RRR-RRP六连杆压力机机构动态仿真向量键合图法

针对含铰间隙RRR-RRP六连杆压力机机构动力学建模与仿真问题，提出了相应的向量键合图法。在考虑旋转铰间隙及复合铰的条件下，建立了含铰间隙RRR-RRP六连杆压力机机构向量键合图模型。应用相应的方法，解决了机构向量键合图模型的微分因果关系给计算机自动建模所带来的代数困难。在此基础上，实现了含铰间隙RRR-RRP六连杆压力机机构动力学计算机自动建模及仿真，分析了运动副间隙对刀具加速度、机构构件角加速度、质心加速度及运动副约束反力的影响，说明了所述方法的可靠性及有效性

基于气相色谱-质谱联用技术的痛风病人血清代谢特征分析

痛风是一组仅见于人类的异质性疾病,随着时间的推移,将导致慢性关节炎并逐渐致残。该研究将基于气相色谱-质谱联用技术（GC-MS）的代谢组学方法应用于痛风病人的血清代谢特征分析。首先利用GCMS获得痛风病人和健康人的血清代谢指纹图谱,采用多变量统计分析对所得数据进行分析。主成分分析（PCA）得分图显示,痛风病人与健康人的血清代谢谱有差异。通过偏最小二乘-判别分析（PLS-DA）对样品进行进一步分型,根据模型的变量重要性因子（VIP值）及非参数检验结果筛选差异代谢物。共筛选出43种可能与痛风相关的代谢物,并对其中22个变量进行结构鉴定,主要包括丙二醇、2,3-二羟基丁酸、2,4-二羟基丁酸、赤藓糖醇、苏糖醇、苏糖酸、阿拉伯糖醇、D-葡萄糖酸、肌醇、次黄嘌呤、尿酸、尿苷、3-羟基-3-甲基丁酸、鸟氨酸、吲哚-3-乳酸、单乙醇胺、甘油、甘油酸、月桂酸及亚油酸等代谢物。与健康人相比,痛风病人的糖代谢、核苷酸代谢、氨基酸代谢及脂类代谢均发生了明显的紊乱。这些结果将为痛风临床诊断及治疗提供重要依据

持久性有机污染物的海洋动物胚胎毒理学研究进展

持久性有机污染物(persistent organic pollutants,POPs)是指具有高毒性、持久性、生物蓄积性、半挥发性及长距离迁移性等特性的天然或人工合成的有机污染物1.它可通过空气、水、土壤、食物链进行广泛传播,甚至能经母乳传递给婴儿2.无论是在空气、水体、土壤、生物体中,还是在南极、北极都发现了POPs的存在3.大量研究表明POPs在食物链传递过程中具有生物富集和生物放大效应

持久性有机污染物的海洋动物胚胎毒理学研究进展

持久性有机污染物(persistent organic pollutants,POPs)是指具有高毒性、持久性、生物蓄积性、半挥发性及长距离迁移性等特性的天然或人工合成的有机污染物1.它可通过空气、水、土壤、食物链进行广泛传播,甚至能经母乳传递给婴儿2.无论是在空气、水体、土壤、生物体中,还是在南极、北极都发现了POPs的存在3.大量研究表明POPs在食物链传递过程中具有生物富集和生物放大效应

持久性有机污染物对水生动物芳香烃受体通道的毒理机制及其早期监测(英文)

过去30年,随着工农业的不断发展,由持久性有机污染物(POPs)导致的癌症患者不断增加.目前POPs已广泛存在于水生态系统中,对水生动物的生长发育、种群繁衍、群落结构等产生重要影响.虽然POPs对水生动物的毒理机制非常复杂,但研究表明其毒理机制主要通过芳香烃受体通道(Ah Rpathway)来进行调控.为全面理解水生动物AhR通道中每一个基因在毒理调控过程中的作用,论文从水生动物芳香烃通道的角度详细阐述了POPs的毒理机制,同时对水生动物中POPs的早期监测进行了讨论,最后提出了未来POPs毒理机制研究的发展方向. &nbsp;</p

Self-Powered UV-Near Infrared Photodetector Based on Reduced Graphene Oxide/n-Si Vertical Heterojunction

A novel self-powered photodetector based on reduced graphene oxide (rGO)/n-Si p-n vertical heterojunction with high sensitivity and fast response time is presented. The photodetector contains a p-n vertical heterojunction between a drop-casted rGO thin film and n-Si. Contacts between the semiconductor layer (rGO, n-Si) and source-drain Ti/Au electrodes allow efficient transfer of photogenerated charge carriers. The self-powered UV-near infrared photodetector shows high sensitivity toward a spectrum of light from 365 to 1200 nm. Under the 600 nm illumination (0.81 mW cm(-2)), the device has a photoresponsivity of 1.52 A W-1, with fast response and recover time (2 ms and 3.7 ms), and the ON/OFF ratios exceed 10 4 when the power density reaches approximate to 2.5 mW cm(-2). The high photoresponse primarily arises from the built-in electric field formed at the interface of n-Si and rGO film. The effect of rGO thickness, rGO reduction level, and layout of rGO/n-Si effective contact area on device performance are also systematically investigated