采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法

本发明提供一种采用氢氧化铵腐蚀液制备V型槽砷化镓图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤:步骤1:配置氢氧化铵腐蚀液;步骤2:在衬底上制作一层光刻胶;步骤3:光刻，使光刻胶形成条形光刻胶图案;步骤4:将光刻好的衬底放入配好的腐蚀液中腐蚀，使衬底形成V型槽，取出，用去离子水反复清洗，然后氮气吹干;步骤5:将吹干后的衬底用丙酮清洗掉残留的光刻胶，氮气吹干，完成V型槽砷化镓图形衬底的制作

GaAs基MOEMS波长可调谐滤波器的设计和理论模拟

采用传输矩阵理论和结合悬臂梁的电学一机械模型对GaAs基1.55 μm微光电机械系统(MOEMS)波长可调谐滤波器的光学和电学特性进行了深入的对比分析和研究.结果表明,采用800 nm厚的空气腔可以实现滤波器波长的调谐范围为100 nm,所需最大反向偏压为4 V,波长的调谐速率可以达到1.83 MHZ

一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法

本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有单悬臂图形的外延片进行干法刻蚀，刻蚀出垂直台面；对该刻蚀出垂直台面的外延片进行第二次光刻，光刻出P、N两个电极图案，然后反型，淀积共面电极，并金属剥离，形成电极；对该外延片进行选择性腐蚀，腐蚀出具有空气隙的单悬臂结构；停止反应，对该单悬臂结构进行保护。利用本发明，制作出了波长可调谐的滤波器

可用于弱光探测器的量子线研究进展

以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度.文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果.采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了OaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构

图形衬底量子线生长制备与荧光特性研究

报道了在V型槽图形衬底上利用分子束外延技术外延生长的GaAs/AlGaAs量子线.外延截面在扫描电子显微镜下可以看到在V型槽底部形成了弯月型量子线结构, 量子线尺寸约为底边60 nm高14 nm的近三角形.低温87 K下光致发光谱测试在793.7和799.5 nm处出现峰值, 验证了量子线的存在.理论近似计算结果显示, 相比等宽度量子阱有8 meV的蓝移正是由于横向量子限制引起