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    氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法

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     一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成;步骤2:将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED芯片;步骤3:对每个单元上表面的选定区域进行表面处理,使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层;步骤4:在每个单元上表面制作P电极,该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓,完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作

    GaN基薄膜芯片的制造方法

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     一种GaN基薄膜芯片的制造方法,包括:1)在一蓝宝石衬底上生长外延层,该外延层包括N型层、活性层和P型层;2)在外延层上制作反射层;3)在反射层上涂覆第一树脂层;4)在第一树脂层上粘合第一临时基板,并固化;5)对蓝宝石衬底进行激光剥离,露出外延层的一面;6)在露出的外延层的一面涂覆第二树脂层;7)在第二树脂层粘合第二临时基板,并固化;8)去除第一临时基板和第一树脂层,露出反射层;9)在反射层上电镀永久支撑基板;10)去除第二临时基板和第二树脂层;11)粗化激光剥离掉蓝宝石衬底后的外延层的表面;12)在粗化后的外延层的表面制作电极

    氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法

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    一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法,包括:选择一外延结构,该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层;在氮化镓LED层上采用电镀方法制作一次电镀层;对一次电镀层进行减薄抛光处理,使其表面光亮平整;用激光刻划方法在一次电镀层的表面上制作激光刻划图形,作为光刻对准标记;运用光刻方法,通过前烘,匀胶,曝光,显影,坚膜,在一次电镀层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖一次电镀层周边部分面积;继续电镀,在一次电镀层和光刻胶图形上制作二次电镀层;剥离光刻胶图形的光刻胶,裸露出光刻胶图形下的一次电镀层,该一次电镀层和二次电镀层构成氮化镓基垂直结构发光二极管的转移衬底;清洗吹干,完成垂直结构发光二极管转移衬底的制作

    氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法

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    一种氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法,包括:步骤1:选择一外延结构,该外延结构包括蓝宝石衬底和氮化镓LED层;步骤2:在氮化镓LED层上采用电镀或键合的方法制作一转移衬底;步骤3:减薄转移衬底,然后抛光;步骤4:用激光刻划方法在转移衬底的表面上刻划图形,作为光刻对准标记;步骤5:在作好光刻对准标记的转移衬底上采用光刻方法,通过前烘,匀胶,曝光,显影,坚膜,在转移衬底上面的中间形成光刻胶图形,该光刻胶图形的面积小于转移衬底的面积;步骤6:选择腐蚀液腐蚀掉未被光刻胶图形覆盖的转移衬底,使转移衬底四周形成台面;步骤7:剥离光刻胶,清洗吹干,完成转移衬底的腐蚀

    氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法

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    一种氮化镓基垂直结构发光二极管芯片桥联电极制备方法,包括:取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片,将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀,形成第一台面;在第一台面上的外延层的四周制作侧壁绝缘薄膜,该侧壁绝缘薄膜并覆盖外延层上表面的四周;在外延层及侧壁绝缘薄膜的上面制作P电极;然后用键合或电镀的方式,在P电极的上表面制作转移衬底;采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底,形成第二台面;在第二台面上制作绝缘薄膜,该绝缘薄膜覆盖外延层的四周及其侧壁绝缘薄膜的上表面;在第二台面的外延层的部分表面及部分绝缘薄膜的上表面,制作N电极,该N电极的焊盘在外延层以外的区域,完成发光二极管芯片桥联电极的制备

    氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法

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    一种氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片,将该具有蓝宝石衬底的氮化镓LED外延片上的外延层的四周刻蚀,形成台面,该台面是LED的发光区域;步骤2:在台面上及外延层的四周,并覆盖部分外延层四周的上表面制作绝缘薄膜;步骤3:在绝缘薄膜上及覆盖外延层的上表面制作P电极;步骤4:然后用键合或电镀的方式,在P电极的上表面制作转移衬底;步骤5:采用激光剥离去除外延片中的蓝宝石衬底;步骤6:在去除衬底后的外延层的表面制作N电极,完成氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作

    应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED

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     一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED,包括:一p型金属电极,该p型金属电极包括一金属支撑衬底,以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜;一空穴注入层,该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上;一电子阻挡层,该电子阻挡层制作在空穴注入层上;一发光层,该发光层制作在电子阻挡层上;一电子限制层,该电子限制层制作在发光层上;一电子注入层,该电子注入层制作在电子限制层上;一电流扩展层,该电流扩展层制作在电子限制层上;两个n型金属电极,制作在电流扩展层上,覆盖一部分电流扩展层
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