半导体微腔物理及其应用

半导体微物理是半导体低维结构物理与量子光学的交叉前沿领域。该文就半导体微腔中自发辐射增强效应，腔极化激元与Rabi分裂，腔极化激元的色散关系，稳态与瞬态的光学性质，三维受限微腔激光器特性等作一概要介绍，力图重点地从物理角度来阐明这些物理现象

整数、分数量子霍耳效应简介

1998年10月三位美国科学家，Daniel Tsui,Horst Stormer和Robert Laughlin,由于发现分数量子霍耳效应所做出的杰出贡献而获得诺贝尔物理奖，这一重要事件重新引起了人们对量子霍耳效应的关注。该文力图从物理角度概要介绍整数、分数量子霍耳效应的主要物理现象和机制，诸如边缘态,Laughlin态，分数电荷、梯队结构、v=1/2态和组合费米子等

分数量子霍尔效应-1998年诺贝尔物理学奖介绍

1998年10月，三位美国科学家，Daniel Tsui(崔琦，美籍华裔科学家)、Horst Stormer(美国德裔科学家)和Robert Laughlin，因他们在发现分数量子霍尔效应方面所作出的杰出贡献而获得诺贝尔物理学奖。文章力图从物理角度概要介绍分数量子霍尔效应的主要物理现象和机制

非对称双势垒结构中电子态的特异性

在包络波函数近似下自洽计算了非对称双热垒结构(DBS)中的电子态,并正确得到了积累区和中央势阱中准束缚能级E_(ac)、E_(we)随偏压变化的反交叉过程.结果首次揭示了结果适当选取DBS的入射垒厚度,随着外加电场不断增加,在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三解势阱的基态能级E_(com),E_(com)具有很好的二维性,这表明在过共振区DBS在入射端积累区中只存在二维电子