超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响

提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影

GaAs(331)A面InAs自组织纳米结构形貌演化

采用分子束外延方法在CaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs纳米线(QWRs)或者三维(3D)岛状结构.InAs纳米线(QWRs)选择性生长在CaAs层的台阶边缘.通过原子力显微镜(AfM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件,包括:衬底温度、生长速率、和InAs层厚度等,对InAa表面形貌有很大的影响.如,低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成.表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争

脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究

对MBE生长的InGaAs量子阱（QW）激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器，通过控制脊的腐蚀深度，得到阈值电流密度为300A／cm~2的激光器，且激光器在常温下工作稳定，输出功率较大，其阈值电流附近3dB带宽超过2GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应，结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽

Numeric Character and Spatial Pattern of Robinia pseudoacacia L. Population at Two Kinds of Recovery Modes

为了研究刺槐在不同恢复模式中的数量特征和格局分布;选择复垦17a的SⅢ样地(刺槐×榆树×臭椿)和SⅤ(刺槐纯林)两块固定监测样地;对比两样地中刺槐的径级结构、枯梢个体的格局和入侵物种的特征等。结果表明:(1)SⅢ样地中刺槐存活率和存活个体的平均胸径比刺槐纯林要高;(2)由于竞争关系的存在及水分等环境因子的影响;SⅢ样地和SⅤ样地刺槐不同径级个体的空间分布表现出一定的空间异质性。(3)枯梢与刺槐栽种的密度和所处的位置有关;受风较多的SⅤ样地枯梢严重;背风的SⅢ样地枯梢树木明显少于SⅤ样地

镶嵌型纳米锗的制备新方法及其光致发光研究

报道了通过热氧化氢化非晶锗硅薄膜和氢化非晶硅/氢化非晶锗多层膜以制备镶嵌于二氧化硅中纳米锗材料的新方法。研究结果表