一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法

 本发明公开了一种低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备方法,采用斜三角形吸收区的波导结构结合前后腔面淀积超低反射率的光学增透膜,实现低波纹系数半导体超辐射发光二极管的制备。本发明采用斜三角形吸收区的波导形式,它的三条边与对应腔面之间均保持一定的夹角,可以有效提高光透射率；另外,斜腔的结构也可以有效抑制受激振荡,减少腔面的光反馈。在膜系设计上,两层膜系结构的低反射率光谱区带宽、膜料的折射率偏差和厚度偏差对膜系剩余反射率的影响程度均好于三层膜系对称结构,且工艺制备时的允差较大,有利于实现精确监控。本发明提供的制作低波纹系数的半导体超辐射发光二极管方法,工艺相对简单,实现成本较低,具有工艺合理性

用于WDM系统的垂直腔可调谐光电器件

从理论模型出发分析了实现垂直腔光电器件可调谐的方法，讨论了静电激励的1／3原则，及其对调谐性能的影响，从国内外几个有代表性的研究小组的工作出发，介绍了最新的研究进展

InP衬底表面的H_2/N_2等离子体清洁技术

该文介绍了用电子回旋共振(ECR)H_2/N_2等离子体去除InP衬底表面的氧、碳原子的方法，并保持了InP衬底表面原有的有序结构，给出了这种处理方法的工艺条件，对这种方法的优越性进行了系统的分析和讨论，得出了一些有价值的结论

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR Plasma CVD)法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一。该文报道了ECR Plamsa CVD法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等

ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR Plasma CVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺，给出工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性

掺Er光纤宽带光源的研究和应用

简述了近年来国内外掺Er光纤（EDF）光源的最新发展，详细分析了EDF光源的工作原理；介绍了EDF的基本结构，并概述了其各自的特点；总结了当前几种重要的EDF光源及其研究状况；指出了未来EDF光源发展方向