氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法

 一种氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法,包括：步骤1：选择一外延结构,该外延结构包括衬底和氮化镓LED外延层；步骤2：在外延层上沉积SiO2层；步骤3：运用光刻技术,通过匀胶,前烘,曝光,坚膜,在SiO2层上形成光刻胶图形,该光刻胶图形覆盖SiO2层表面周边的部分面积；步骤4：腐蚀未被光刻胶图形掩盖的SiO2层,露出外延层；步骤5：剥离去掉光刻胶图形位置的光刻胶；步骤6：在腐蚀掉SiO2层位置的外延层上,蒸镀ITO层；步骤7：在未被腐蚀的SiO2层的表面相对的两边,蒸发接触金属电极,完成二极管隐形电极的制作