Energy stochastic optimization scheduling for micro-grid based on photovoltaic forecasting

可再生能源的间歇性和负荷的随机性对微电网能源管理系统(EMS)产生了巨大的挑战。在随机环境下的能源优化调度问题在微电网的研究中具有重要意义。以微电网中光伏发电系统的功率预测为基础,将光伏预测误差当做随机变量,建立了一种基于期望模型的能源随机优化调度模型。用Monte Carlo模拟方法生成了光伏发电预测误差的情景集,应用粒子群优化算法来解决随机优化调度模型。通过与确定性模型产生的调度方案相对比,证明了随机优化调度模型更加有效。</p

次级运动区参与外源性触发的利手和非利手单指运动

次级运动区是否参与简单随意运动是一个颇有争议的问题, 而利手和非利手运动脑结构基础的差异至今未阐明. 用功能磁共振成像(fMRI)方法, 观察了6名健康右利手受试者在进行视觉信号提示的利手和非利手食指单次按键运动时, 初级运动皮层(M1)以及辅助运动区(SMA)和前运动皮层(PMC)等次级运动区的局部血氧代谢. 结果显示, 在上述外源性触发的简单随意运动中M1, SMA和PMC均有明显激活, 但利手运动主要激活对侧脑区, 而非利手运动则进一步激活了同侧SMA和PMC. 这些结果不但为次级运动区参与外源性触发的简单随意运动的假说提供了可靠的实验证据, 而且进一步说明, 利手运动主要依赖于对侧次级运动区, 而非利手运动则需要双侧次级运动区的参与.</p

含低剂量抑制剂体系气体水合物生成动力学

水合物管道堵塞是油气工业安全生产的重要问题之一，目前低剂量抑制剂以其经济性、环境友好性等优点，逐步取代传统抑制剂．文中在8．5MPa、4℃条件下，1．072L反应釜内，采用甲烷、乙烷和丙烷混和气，研究了含低剂量抑制剂聚乙烯毗咯烷酮（PVP）和GHI1的水合物生成体系反应过程，计算分析了压缩因子和自由气量随反应时间的变化，对比了在相同反应程度下添加PVP和GHI1后水合物含气量的区别，探讨了GHI1组合抑制剂的抑制机理．实验结果表明PVP和GHI1能抑制水合物生长，不能有效抑制水合物成核；添加PVP的体系，在实验气体组成下，甲烷乙烷进入水合物小晶穴，并且甲烷优先进入小晶穴；GHI1对丙烷乙烷的抑制能力强于甲烷；对比GHI1和PVP的反应过程，认为协同剂二乙二醇丁醚的羟基和醚类结构加强反应体系中的氢键，和PVP结合使用，通过氢键和空阻达到抑制效果

一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法

<p><font face="宋体" size="3">发明涉及一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料磁致电阻的方法，其措施是：(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间；(2)辐照重离子的种类为Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种，q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1&le;q&le;A的原子序数；(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。通过本发明方法，能够显著增加以Fe3O4纳米多晶薄膜为代表的半金属性薄膜材料的晶粒绝缘边界、减小表面应力，可以获得高质量的势垒层及势垒界面，使得其室温磁致电阻明显提高并能被施以人为调制。</font></p

Fe/Nb多层膜中离子辐照效应研究(英文)

采用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Si/[Fe(10 nm)/Nb(4 nm)/Fe(4 nm)/Nb(4 nm)]2/ [Fe(4nm)/Nb(4 nm)]4多层膜。用2 MeV的Xe离子在室温下辐照多层膜。采用俄歇深度剖析、X射线衍射和振动样品磁强计分析辐照引起的多层膜元素分布、结构及磁性变化。AES深度剖析谱显示当辐照注量达到1 .0×1014ions/cm2时,多层膜界面两侧元素开始混合;当辐照注量达到2 .0×1016ions/cm2时,多层膜层状结构消失,Fe层与Nb层几乎完全混合。XRD谱显示,当辐照注量达到1 .0×1014ions/cm2时, Nb的衍射峰和Fe的各衍射峰的峰位相对于标准卡片向小角方向偏移,这说明辐照引起Nb基和Fe基FeNb固溶体相的形成;当辐照注量大于1 .0×1015ions/cm2时,辐照引起非晶相的出现。VSM测试显示,多层膜的磁性随着结构的变化而变化。在此实验基础上,对离子辐照引起界面混合现象的机理进行了探讨

94MeV Xe离子辐照引起的薄膜硅光学带隙变化研究；Modification of Optical Bandgap of Thin Silicon Films Induced by 94 MeV Xe Ion Irradiation

室温下,用94MeV的Xe离子辐照纳米晶和非晶硅薄膜以及单晶硅样品,辐照量分别为1.0×1011,1.0×1012和1.0×1013ions/cm2。所有样品均在室温下用UV/VIS/NIR光谱仪进行检测分析。通过对比研究了纳米晶、非晶、单晶硅样品的光学带隙随Xe离子辐照量的变化。结果表明,不同结构的硅材料中Xe离子辐照引起的光学带隙变化规律差异显著:随着Xe离子辐照量的增加,单晶硅的光学带隙基本不变,非晶硅薄膜的光学带隙由初始的约1.78eV逐渐减小到约1.54eV,而纳米晶硅薄膜的光学带隙则由初始的约1.50eV快速增大至约1.81eV,然后再减小至约1.67eV。对硅材料结构影响辐照效应的机理进行了初步探讨

中国高等植物受威胁物种名录

2008年,环境保护部和中国科学院联合启动了《中国生物多样性红色名录——高等植物卷》的编制工作。通过这项工作,我们依据IUCN濒危物种红色名录标准对中国野生高等植物的濒危状况进行了全面评估,编制了中国高等植物红色名录。2013年9月,该名录以环境保护部、中国科学院第54号公告形式发布,即《中国生物多样性红色名录—