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大功率宽条分布反馈激光器研究
大功率半导体激光器一般用作抽运源,但其抽运的离子吸收峰带宽一般都比较小。为提高大功率半导体激光器对固体或光纤激光器等的抽运效率,就要降低半导体激光器的输出波长随注入电流和热沉温度的漂移系数。分析了光栅深度和光栅填充因子对激光器输出波长锁定效果的影响,实验验证确定出合适的光栅参数,依据优化条件得出合适的激光器腔长,制备出锁定效果良好的宽条分布反馈激光器。该激光器的单管腔长2.4mm,发光条宽100μm,连续最大输出功率400mW,热沉温度为15℃时的输出波长为954nm,输出波长随注入电流的漂移系数为0.67nm/A,输出波长的温漂系数为0.046nm/K
实用化1730nm波段掩埋结构半导体激光器的研制
报道了应用于医疗器械的InP基1730nm波段半导体激光器.外延片采用低压金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长,有源区为5个周期的InGaAs量子阱层和InGaAsP垒层.器件采用pnpn结限制掩埋结构,有源区脊宽2μm、腔长300μm.室温下腔面镀膜后激光器管芯的阈值电流为18±5mA,8mW输出功率时的工作电流为60±5mA.采用TO封装后,100mA工作电流下激光器的输出功率大于5mW,输出波长为1732±10nm,高温恒流加速老化筛选实验表明,器件具有长期工作的可靠性,满足实用化要求
激光二极管的准直封装结构
一种激光二极管的准直封装结构,其特征在于,包括:一第一热沉,该第一热沉为矩形,该第一热沉的中间开有一横向通孔;一第二热沉,该第二热沉为矩形,该第二热沉的中间开有一横向通孔;一TO-3管壳,该TO-3管壳位于第一热沉的一侧,该第二热沉与第一热沉通过横向通孔用螺丝与TO-3管壳固定;一陶瓷座,该陶瓷座的上面有一凹槽,该陶瓷座位于第二热沉的上面;一自聚焦透镜,该自聚焦透镜位于陶瓷座上的凹槽内;一管芯,该管芯固定在第一热沉的上面,该管芯的中心线与自聚焦透镜的中心线在同一直线上
