半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体实现超短脉冲可见激光发展状况

介绍了当前国际上流行的一种用于固体激光器被动锁模以获得皮秒和飞秒宽度脉冲的新型半导体吸收体-半导体可饱和吸收镜的基本原理和制作方法.描述了利用半导体可饱和吸收镜和倍频晶体获得可见光超短脉冲激光方面的研究现状, 指出半导体可饱和吸收镜的使用将会加速超短脉冲三基色激光器的研制进程

平面型InGaAs／InPAPD边缘提前击穿行为的抑制

平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有高的电场，导致在结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对不同工艺流程制备的三种不同结构平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了吸收层厚度、保护环掺杂浓度、保护环和中央结纵向及横向间距等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。比较了这三种结构的InP／InGaAsAPD在边缘提前击穿的抑制特性的优劣。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化

高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见激光器

用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,并已形成一定批量生产能力。批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA,额定输出光功率不小于5mW,标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实验要求

决定AlGaInP高亮度发光二极管光提取效率的主要因素

影响发光二极管光提取效率的主要因素