Highly Selective Enrichment of N-Linked Glycan by Porous 3D Graphenebased Materials

Highly Selective Enrichment of N-Linked Glycan by Porous 3D Graphenebased Material

钢轨夹杂物对焊接性能的影响

对某钢厂 U71MnG 钢轨固定式闪光焊接接头进行超声波探伤时发现批量异常反射回波，接头不合格率高，长钢轨成品率低。经初步分析研究，发现钢轨组织内部存在超出铁道行业标准钢轨供货技术条件中规定等级的夹杂物。论文通过工艺参数优化、接头金相分析、母材化学检验等方式分析探伤出波原因，并提出合理化建议。</jats:p

快速热退火对高应变InGaAs／GaAs量子阱的影响

用固态分子束外延技术生长了高应变．In0．45Ga0.55As／GaAs量子阱材料．研究了快速热退火对高应变InGaAs／GaAs量子阱材料光学性质的影响．本文采用假设InGaAs／GaAs量子阱中的In—Ga原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法，对不同退火温度下InGaAs／GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合，得到了In原子在高应变InGaAs／GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能（O．88ev）

高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟

介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性.设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8x10~(-9)s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想.采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结

1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性

An attempt of peptidome/proteome analysis from in vitro to in vivo

An attempt of peptidome/proteome analysis from in vitro to in viv