光探测器TO封装的高频分析与改进

推导了封装前后探测器的散射参数的关系，提出了探测器封装网络高频影响的两种分析方法．一种方法是直接比较封装前后探测器的频响，另一种则是从待封装探测器的反射系数和封装网络散射参数计算获得．以TO封装探测器为例，对两种方法的有效性进行了验证．分析结果表明，封装网络中电容和电感的谐振效应具有补偿作用，通过改变封装中的这些参数，改进了TO封装探测器的频响

DFB—LD在不同温度下的频响测量

利用脉冲注入法测量了分布反馈激光器（DFB—LD）芯片温度与激射波长的关系。基于此关系测量了不同芯片温度下分布反馈激光器的小信号响应曲线、传输眼图和误码率，并讨论了温度、偏置电流对响应曲线、传输眼图和误码率的影响

基于光纤阵列同步2×2机械式光开关

一种基于光纤阵列的同步2×2机械式光开关，包括：一第一光纤阵列基座；沿圆周方向上均匀分布有12个与柱面垂直的光纤通道；每个通道的顶部固定一个光纤头，其一端露出第一光纤阵列基座的表面；一耦合基座；沿圆周方向上均匀分布12个通孔，所述光纤头露出的部分插入耦合基座的通孔；一第二光纤阵列基座，沿圆周方向上均匀分布有12个与柱面垂直的光纤通道，每个通道的顶部固定一个光纤头，该光纤头的一端露出第二光纤阵列基座的表面，所述光纤头露出的部分插入耦合基座的通孔；一柱形轴，所述第一光纤阵列基座、耦合基座和第二光纤阵列基座均套接在柱形轴上；第一光纤阵列基座和耦合基座插合后与柱形轴固定；第二光纤阵列基座是沿柱形轴的纵向滑动，或绕轴在30度范围内往复转动

Characteristics of well tests in the carbonate reservoirs of the eastern Tazhong-1 Gas Field,Tarim Basin

塔里木盆地塔中Ⅰ号气田东部试验区储层高温高压,流体性质和流动机理复杂;试井曲线具有多样性、复杂性及多解性的特点,试井分析面临巨大的挑战。为此,根据研究区地质特点及有关资料录取情况,采用现代试井分析方法与生产动态分析相结合的非均质气藏动态描述综合技术,将储层划分为视均质、双重孔隙、复合模型以及裂缝、裂缝孔洞模型等5种类型进行试井分析。结果表明:该区储层非均质性较强,平面连通性差;试井特征与稳产能力有着紧密的联系,对不同类型的井,应制订相应的开发技术对策

基于光外差技术的超宽带频率响应测量系统

介绍了一种利用光外差技术测量光电探测器超宽带频率响应的测试方法。将一个可调谐外腔激光器和一个固定波长的分布反馈激光器（DFB-LD’s）产生的激光输入到光电探测器进行混频。通过对可调激光器腔长的控制，可以在光电探测器产生从DC到上百GHz的拍频信号，在无需额外校准光源的情况下就可以进行光电探测器超宽带频率响应特性的测试，这是该方法最突出的优点。实验证明该方法比较准确、简便、易于操作。在实验中，对两个不同的InGaAs p-i—n探测器进行测量，得到器件的3dB带宽分别为14．4GHz和40GHz。该测量方法对同类实验的研究和应用都具有实用意义

利用光自注入改善DFB激光器的频率响应

介绍了一种简单有效的自注入方法，通过该方法对直接调制的分布反馈半导体激光器进行光自注入，可以得到非常平坦的频率响应曲线．实验中使用一个环形器和一个1×2耦合器来实现光自注入，实验结果表明，在不同的偏置电流下，适当改变自注入光的偏振状态，频率响应曲线的张弛振荡峰可以得到很好地抑制

电吸收调制激光器集成芯片的高频测试

提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML)集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上,同时采用光探测器作为光电转换器,二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线,使用微波探针作为测试夹具加载信号,另一端是同轴线,两个测试端口不同,不能采用简单的同轴校准方法校准待测系统。测试过程中采用扩展的开路-短路-负载(OSL)误差校准技术对集成器件的测试夹具微波探针进行校准,扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响,同时采用光外差的方法扣除了高速光探测器的频率响应对结果的影响,得到集成光源散射参数的精确测试结果

测量激光器结温的脉冲注入法研究

提出了一种精确测量半导体激光器结温的方法.由于激光器的热容很小,因此采用脉冲注入的方法可以显著减小激光器的温升.研究了脉冲电流注入下激光器的激射波长随环境温度的变化规律,通过实验研究得到电流脉冲宽度和周期与激射波长的关系,理论分析得到的定量关系式与实验结果十分吻合.在此基础上得到了精确测量激光器结温的最佳脉冲参数,即脉宽为10 ns,脉冲周期为10μs.并且确定了激光器结温与激射波长的定量关系式,波长随温度的漂移系数为0 0728 nm/K.这种方法避免了电学测量法中的结电压波形过冲,测量精度明显优于后者,同时也可以方便地测量封装好的激光器组件的温度特性