用于金属有机物化学沉积设备的气路装置

本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长

用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置

本发明公开一种用于金属有机物化学沉积设备的气体分配装置，包括：通过氮气管道连接到氮气气源的氮气分配管路，该氮气分配管路具有多个氮气分配支路；通过氢气管道连接到氢气源的氢气分配管路，该氢气分配管路具有多个氢气分配支路，其中，氮气分配管路的一个氮气分配支路与氢气分配管路的一个氢气分配支路连接，在连接处安装有连接处单向阀门，该连接处单向阀门打开时允许氮气通过其进入到氢气分配管路以执行吹洗操作、同时防止氢气通过其进入到氮气分配管路。本发明的气体分配装置可以实现气源气体的多路分配，准确控制各管路需要压力，从而实现不同使用目的的气体供应需要

金属有机物化学沉积设备的反应室

本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性