氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关

研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流子注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3 μm,注入电流为32 mA下得到光开关反射端消光比为18 dB,无注入时的关态串话为-19 dB

硅多条两维位置灵敏探测器的研制

描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果。这种探测器的灵敏面积为50 mm×50 mm。P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为100μm。硅条P掺杂层是一层均匀分布的电阻层,利用电荷分除法,可以得到入射粒子在该条上的位置(Y位置)。当探测器工作在全耗尽偏压下时,大部分单条的反向漏电流<30nA。对239Puα粒子得到能量分辨率<2.5%,位置分辨<0.5 mm

硅多条探测器信号引出装置

本实用新型主要涉及一种核辐射探测器的结构，尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器的信号引出装置的结构。一种硅多条探测器信号引出装置，包括有在电路板（１）上设有多个独立的正电极（４）及负电极（２），其主要特点是还包括有在电路板（１）设有镂空的窗口（３），硅多条探测器（５）设于窗口（３）之上，芯片（５）的正输出端连线与正电极（４）连接；硅多条探测器（５）的背面负输出端通过导电橡胶（６）与负电极（２）相联。本实用新型的有益效果是设计合理，信号引出可靠，损失小，具有优良的电特性和探测特性

硅多条探测器的研制

描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果。这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm。P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16硅条,相邻条之间的间距为140μm。当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA。对239Pu α粒子的能量分辨为0.5％~0.9％,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4％~8％

核辐射探测器及其制作工艺

本发明主要涉及一种核辐射探测器，尤其涉及在高能物理和核物理中使用的位置灵敏探测器及其制作工艺。一种核辐射探测器，包括有硅基片，Ｎ型，其主要特点是还包括有探测窗口（１）由相互平行的多个探测窗口（１）组成，有Ｂ↑［＋］掺杂区（３），形成ＰＮ结，其上有Ａｌ层（２），并设有引线（７）；两探测窗口（１）之间设有绝缘分割区（４）；硅基片背面有Ｐ↑［－］掺杂区（５），形成Ｎ↑［＋］欧姆接触，其上复有Ａｌ层（６），形成背电极。本发明的核辐射探测器具有优良的电特性和探测特性。在核物理实验中能同时测量核反应产物的能量和位置（角分布）信息，在得到非常好的位置分辨的同时得到相当好的能量分辨率。由于在工艺流程中严格控制和严格操作，采取特殊Ｃｌ离子处理，减少了ＳｉＯ↓［２］层中的正电荷。并减少了ＳｉＯ↓［２］－Ｓｉ界面附近的表面态，使探测器的反向漏电流比其他工艺例如面垒工艺制备的探测器下降１～２个量级，达到ｎＡ量级

平面工艺空间带电粒子探测器的研制

描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性。探测器的灵敏层厚度为100、300、450和1000μm,灵敏面积为(?)8和(?)12mm等不同规格。在全耗尽偏压下,得到典型的反向漏电流范围为0.57-10.11nA,典型的能量分辨率为0.69%-0.86%(对241Amα粒子)。在60℃高温下,器件的性能变化在空间应用的允许范围之内

Amplitude analysis of the decays D0 → π+π−π+π− and D0 → π+π−π0π0*

Using e+e− annihilation data corresponding to an integrated luminosity of 2.93 fb−1 taken at the center-of-mass energy √s = 3.773 GeV with the BESIII detector, a joint amplitude analysis is performed on the decays D0 → π+π−π+π− and D0 → π+π−π0π0 (non-η). The fit fractions of individual components are obtained, and large interferences among the dominant components of the decays D0 → a1(1260)π, D0 → π(1300)π, D0 → ρ(770)ρ(770), and D0 → 2(ππ)S are observed in both channels. With the obtained amplitude model, the CP-even fractions of D0 → π+π−π+π− and D0 → π+π−π0π0 (non-η) are determined to be (75.2 ± 1.1stat. ± 1.5syst.) % and (68.9 ± 1.5stat. ± 2.4syst.)%, respectively. The branching fractions of D0 → π+π−π+π− and D0 → π+π−π0π0 (non-η) are measured to be (0.688 ± 0.010stat. ± 0.010syst.)% and (0.951 ± 0.025stat. ± 0.021syst.)%, respectively. The amplitude analysis provides an important model for the binning strategy in measuring the strong phase parameters of D0 → 4π when used to determine the CKM angle γ(φ3) via the B− → DK− decay