InAs/GaAs自组织量子电的DLTS谱

将DLTS用于对InAs/GaAs QD结构样品的测量，测定了QD能级发射载流子的热激活能；获得了QD能级俘获电子过程伴随有多声子发射(MPE),QD能级存在一定程度的展宽，以及在某些特定的生长条件下,存在亚稳生长构形的实验证据。结果表明:DLTS在QD体系的研究中有其特有的功能

离子束外延β-FeSi_2/Si薄膜的电子能谱研究和表征

用电子能谱分析方法对低能离子束外延(IBE)生长的β-FeSi_2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-FeSi_2比光电子峰更为清晰、可取。同时，对样品纵向分析表明界面处存在有较厚的过渡层。根据分析结果对低能IBE生长机理进行了探讨。经研究认为:Fe,Si通过空位机制进行的增强互扩散，在高温下生长出与Si晶格相匹配的β-FeSi_2

Ni＋注入n-GaP DLTS谱中Ni杂质能级的识别

在不同条件下退火的Ni~+注入n-GaP DLTS谱中观测到表观激活能在0.60～0.70eV范围内的多个多子峰和少子峰。对各样品掺杂层内的能带弯曲及Ni杂质各荷电状态浓度空间分布在DLTS测量的零偏-反偏过程中的变化进行了计算。结合分析实测各能级热发射率数据,对其中起源于Ni_(Ga)中心的DLTS峰作出了判断

对离子束外延氧化铈/硅热处理行为的初步研究

对不同的O,Ce束流比条件下用离子束外延(IBE)方法生长的氧化铈/硅薄膜在热处理前和在干氧气氛中经不同温度热退火后进行了俄歇电子能谱(AES)深度部剖析测量。结果显示出在Si衬底上生长的具有正化学配比的CeO_2和铈的低价氧化物具有明显不同的热处理行为，对与此有关物理过程作了初步探讨。结果还表明IBE CeO_2/Si结构经高温处理后在界面上形成了一层SiO_2,而外延层内的化学配比可接近正常值，从而显示出该材料工作温度尚可提高的可能性

缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱

以瞬态光霍尔测量为基础,建立了观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga_(0.7)Al_(0.3)As中DX中心的俘获势垒

p~＋-n~--n结的势垒分布

GaP:N绿色LED发光效率的提高有赖于对其结构参数的优化。根据载流子分布的连续性,由泊松方程自洽求解,得出了半导体n~--n结势垒分布的计算方法。在此基础上,计入n~-区内的电位降,计算了商用发光二极管p~+-n~-n结构的势垒分布,为整体结构的参数优化准备了必要的条件

GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心

采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zt在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和介带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究,结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心