GeSi/Si多量子阱红外探测器波导结构的理论计算

采用传输矩阵的方法计算了Ge_xSi_(1-x)/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布，光场限制因子和有效吸收系数的影响，并给出了优化设计的结果

新型隐埋Si/SiO_2做底镜的共振腔型探测器的理论分析

提出一种新型隐埋Si/SiO_2 Bragg反射器结构的Si基共振腔型光电探测器，该结构具有与集成电路相兼容的特点。理论计算表明量子效率较普通光电探测器提高了3～4倍

掺铒硅发光的晶场分裂

测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到9条铒发光分裂谱线。利用群对称理论指出9条谱线来自Er~(3+)中~4I_(13/2)到~4I_(15/2)光跃迁在T_d晶场下的分裂。Er~(3+)的第一激发态~4E_(13/2)最低能量的两个Stark能级为Γ_8,Γ_6(能量递增)，它们到基态~4I_(15/2)相应晶场Stark能级的允许辐射跃迁为9条谱线。

锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究

研究了Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁遇极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为

新型结构的1.3μm GexSi（1-x）/Si MQW 波导探测器的优化设计

首次提出了一种新型的环形1.3μm Ge_xSi_(1-x)/Si波导探测器结构.器件的主体由3μm宽环形波导构成.器件的输入端是8μm宽的波导.这两部分通过劈形波导过渡连接.各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率.对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计.结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2～3倍.而上升下降时间仍然保持在110ps左右

MBE生长应变Si（1-x）Ge_x/Si MQW结构中Ge分布的计算

根据MBE实际生长条件，采用在应变Si_(1-x)Ge_x/Si MQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si_(1-x)Ge_x/Si MQW中的扩散方程，模拟出了MQW的畸变，指出了这种畸变具有固定的不对称性，并分析了不同生长温度、应变及阱宽情况下MQW畸变