基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法

 本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法,通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％,设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm,在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合,形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为主的中间层,实现了低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法。键合温度在140-310℃范围内,可实现高达20-64MPa的键合强度。这一低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法可应用于任意基片上器件的封装

一种提高光刻胶曝光精度的方法

 本发明公开了一种提高光刻胶曝光精度的方法,该光刻胶对紫外光具有高透射性,该方法是通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或对透过光刻胶的紫外光进行全吸收实现的。本发明通过对透过光刻胶的紫外光进行垂直反射或全吸收,减小了透射紫外光的影响,大幅提高了曝光精度,能够有效避免经光刻机晶片托盘反射的紫外光对光刻胶进行二次曝光,从而提高光刻精度,可以应用于任意透明衬底上对任意高透射性光刻胶的高精度曝光

用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法

 本发明公开了一种用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法,该方法包括：制作盖片；以及将制作的盖片与器件芯片进行圆片级键合。本发明提出利用电磁力将微纳尺度的金属线导入微孔中来实现高质量可靠的三维电学连接,损耗低,寄生效应小；采用局域加热技术只对键合区域进行加热,不仅能实现高键合强度和高气密性,而且保证器件区在整个键合过程中处于较低温度,器件性能不受键合温度影响。圆片级封装保证了封装的低成本。这一方法为MEMS器件,特别是射频MEMS器件,提供了高质量的低成本三维封装方法

一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合

基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置

 本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置,该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组,其中：真空腔室,用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置,位于真空腔室内部的支架平台上,用于对待键合圆片提供键合压力,并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路；电流源,通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连,为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流,实现局域电阻加热；真空泵组,连接于真空腔室底部,用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置,结构紧凑,制作和组装简单,在高真空或可控惰性气体中完成键合,可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响