GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究

报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料

高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器

报道所研制的高灵敏度、低暗电流的 GaAs量子阱长波长红外探测器的制备和性能。探测器具有50个GaAs量子阱和Al_(0.28)Ga_(0.72)As势垒,器件制成直径为320μm的台面型式单管。探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大。 通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高: 探测峰值波长为9.2μm,工作温度为77K时,峰值电压响应率为9.7×10~5V/W,峰值探测率超过1×10~(11)cm。((Hz)~(1/2))/W,暗电流小于0.1μA