GaAs/GaAlAs量子阱激子能量调谐的新方法

用分子束外延技術（ＭＢＥ）在ＧａＡｓ量子阱中嵌入ＩｎＡｓ亞單層，可以有效地改變量子阱的激子能量，從而達到波長調諧的目的．激子能量的調諧范圍取決于量子阱寬度，并和ＩｎＡｓ層厚度有關．利用有效質量近似，計算給出了能量調諧曲線，結果與實驗符合較好．本文給出的結果提供了一種改變量子阱發光器件波長的新方法