低温分子束外延GaAs薄膜的带边二次电光效应和光折变效应

研究了低温生长分子束外延GaAs薄膜的光电子性质。测量了它的I-V特性；用电调制透射谱测量了电吸收和电折变，并由此分析了它的带边共振吸收平方电光效应；用二波混合的方法测量了它的光折变性质，对两种方法得到的电吸收和电折变作了分析比较

用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化

硫钝化是一种比较有效的钝化GaAs表面的方法。使用Na_2S、S_2Cl_2和CH_3CSNH_2三种化学试剂对表面-本征层-重掺杂层(s-i-n~+)结构的GaAs样品进行了钝化，利用光调制反射谱观察到许多个Franz-Keldysh振荡，测量出本征层的电场强度，研究了GaAs表面硫钝化前后费米能级的变化，并且比较了各种钝化方法的钝化效果