中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究

用沟道RBS方法研究了中子辐照GaAs的缺陷在快速退火过程中的恢复行为。结果表明，在10~(14)～10~(17)/cm~2范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长。中子辐照效应对ψ_(1/2)没有影响。经一定剂量辐照后，退火温度越高，退火时间越长，离位原子的恢复效果越明显。10~(15)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_1 approx=0.23eV,可能对应空位与迁移而来的填隙原子的复合；而10~(17)/cm~2剂量辐照损伤的恢复激活能E_2 approx=0.13eV,对应空位与其附近的填隙原子的复合

1MeVSi＋衬底加温注入Al（0.3）Ca（0.7）As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al＿(0．3)Ga＿(0．7)As／GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系

Er离子在Inp、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰

分别在InP、GaAs和Si中以7×10＜′14＞和1×10＜′15＞cm＜′－2＞的剂量进行Er离子注入, 并采用闭管、快速和炉退火等热处理。低温光致发光（PL）、反射式高等电子衍射和卢瑟福背散射实验研究表明, 上述样品中Er＜′3＋＞离子特征发光的中心波长均出现在1．5μm处, 其中InP的发光峰最强, 而注入损伤的恢复是影响Er＜′3＋＞发光的重要因素之一。卢瑟福背散射分析进一步证实退火后Er原子在Si中向表面迁移, 而在InP中的外扩散较小, 并比较了Er在InP和Si晶格中的占位情况。图7参1