纳米硅薄膜的电致发光和光致发光

对用PECVD方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究。在膜的纵向加直流偏压,暗场环境下的可清楚地看到材料的电致发光现象。在同一测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱,并用Lambda 9紫外/可见/近红外分光光度计测量了样品的透射谱,从而得到样品的Tauc曲线和光能隙E_g~(opt)