提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用

一种提高GaN外延材料质量的微纳米结构及其应用。该微纳米结构由阵列排布的多个多边形图形单元组成,每一图形单元包括多条彼此孤立的条状微纳米凸起脊,每一凸起脊对应于多边形的一边,且相邻凸起脊之间由平面结构连接;该凸起脊的两端面为曲面,其纵向截面为曲边形结构,该曲边形包括于垂直方向上分布的顶点和底边,该顶点与底边的两个端点之间分别由两条曲线连接。该微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在条状凸起脊的顶部上,消除了外延生长过程中的位错集中,避免出现局部高位错密度缺陷区,提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命,同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率。   &nbsp

降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用

本发明涉及一种降低GaN外延生长位错集中的微纳米结构及其应用。该微纳米结构的图形由阵列排布的复数个封闭单元组成,每一封闭单元为由微纳米凸起脊相互连接成的三角形结构或六边形结构,且每一封闭单元在平行于衬底表面的平面内形成的各夹角之和为180°的整数倍;微纳米凸起脊的垂直截面为顶点与底边两个端点之间各由两条曲线连接的多边形截面结构。所述微纳米结构适于制备发光二极管和用于生长GaN基材料。本发明可以将外延生长时的位错缺陷分布在互相连接的凸起脊的顶部上,消除了外延生长过程中的位错集中,避免出现局部高位错密度缺陷区,提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命,同时凸起脊结构还有利于提高LED的取光效率

用于高功率光纤激光器的双包层光纤光栅的制作装置

 一种用于高功率光纤激光器的双包层光纤光栅的制作装置,包括：一基座,该基座为中空状,其中空状壁面的中间有一注液孔；一前端盖及一后端盖,分别盖合于基座的两端,形成一封闭空间,该前、后端盖的圆心处分别开有一圆孔；折射率匹配液,该折射率匹配液位于基座的封闭空间内；一双包层光纤光栅,该双包层光纤光栅穿过基座两端前、后端盖上的圆孔

具多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用

本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形衬底及其制备方法和应用,所述图形衬底的图形由阵列排布的复数个多重环带单胞结构组成,每一个多重环带单胞结构包含复数个同心的由大到小嵌套的环形凸起脊,相邻环形凸起脊之间由平面结构或曲面结构连接,环带结构中心为凸起或凹陷结构。本发明适用于制备发光二极管和用于生长GaN基外延材料,可以将外延生长时的位错缺陷分布在环形顶部上,消除了外延生长过程中的位错集中,避免出现局部高位错密度缺陷区,提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命。此外,环带结构还可以在获得高取光效率的同时降低对刻蚀深度的要求,降低图形衬底的制作成本,减小外延生长时间,提高生产效率和产品的性能,降低LED成本

可调谐载流子诱导波导光栅

 一种可调谐载流子诱导波导光栅,包括：一光传输波导；周期型分布的P掺杂区,形成在光传输波导芯层内的一侧；周期型分布的N掺杂区,远离P掺杂区,形成在光传输波导芯层上的另一侧,该P掺杂区和N掺杂区的中间形成一间隙；所述载流子诱导波导光栅是在偏压下以抽空载流子的方式,实现波导导波的功能；在偏压下注入载流子或不注入载流子均能实现导波光栅的滤波功能,诱导波导光栅是沿光传输方向周期排列