96 research outputs found

    高功率高亮度激光器

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    A Compression Method with Wavelet Transformationand Biblock Zero Tree Coding

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    提出基于小波零树的对块零树压缩编码方法 .该方法既具有小波零树压缩编码高压缩比、宜于实时实现的特点 ,同时具有编码 /解码速度快 ,易于实时传输等优点 ,可广泛地应用于各种低码率传输应用中A Biblock Zero Tree compression Coding (BZTC) method, based on wa velet Zero Tree compression Coding(ZTC), is represented. Because this method hav e characters of ZTC's high compression ration, real time implementing simply, and have an advantage of higher coding/decoding speed rapidly, real time transm ission conveniently, it can be applied in the fields of variety of lower code tr ansmission applications.福建省自然科学基金 (A9910 0 0 2 );; 厦门大学科研启动基金资助项

    中国始用硫化矿炼铜的一个线索

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    早期炼铜技术的研究,对于阐明先秦物质文化及社会发展有着重要意义。自然界存在的铜矿物已知有240多种,但目前有开采价值的仅10种,分为三类,即天然铜、氧化铜矿(赤铜矿、黑铜矿、蓝铜矿、孔雀石、硅孔雀石)和硫化铜矿(辉铜矿、铜蓝、黄铜矿、斑铜矿)。天然铜是稀少的,氧化铜矿都是由地质作用形成的次生矿,蕴藏量较小。所以,当铜合金被大量使用,铜矿采掘向深部拓展时,硫化矿之使用就是必然的。硫化铜矿须经焙烧、精选才能入炉熔炼,它的使用无疑是炼铜技术到达更高水准的一个标志

    氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究

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    报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得的电阻率。在距离腔面25μm的区域内进行氦离子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区。腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值。应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到440.5mW,没有发生COD现象。而应用常规工艺制作的管芯的平均COD阈值功率为407.5mW。同常规工艺相比,应用氦离子注入形成腔面非注入区技术使管芯的最大输出功率提高了8%

    用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模

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    较全面介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体(半导体可饱和吸收镜)进行被动调Q和锁模

    水库水生维管束植物的调查方法

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    <正> 一、调查的必要性水生维管束植物(以下简称水草)是水库水生态系统的组成部分,也是水库的重要资源之一。影响水生植被在水库形成的因素较多,如库水深度、防浪程度、地理位置、水位状况、淹没地区的特征、水土的物理

    高饱和电流14xx nm应变量子阱激光器的研制

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    报道了14xx nm应变量子阱(SQW)激光器管芯的研制成果。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长工艺生长14xx nm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片,采用带有锥形增益区的脊型波导结构制作激光器管芯。生长好的外延片按照双沟脊型波导激光器制备工艺进行光刻、腐蚀,制作P面电极(溅射TiPtAu)、减薄、制作N面电极(蒸发AuGeNi),然后将试验片解理成Bar;为获得高的单面输出功率,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR)进行腔面镀膜,HR=90%,AR=5%;解理成的管芯P面朝下烧结到铜热沉上,TO3封装后在激光器综合测试仪进行测试。管芯功率达到440 mW以上,饱和电流3 A以上,峰值波长1430 nm,远场发散角为40°×14°

    带有锥形增益区14xxnm量子阱激光器的研制

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    利用MOCVD生长了14xxnm AlGaInAs/AlInAs/InP应变量子阱外延片.采用带有锥形增益区脊型波导结构和普通条形脊型波导结构在相同的实验条件下制作800μm腔长激光器管芯,在相同的驱动电流下前者可以获得更高的输出光功率,而且P-Ⅰ曲线线性度较好、饱和电流高.1200μm腔长带有锥形增益区脊型波导结构管芯功率达到500mW,饱和电流3A以上,峰值波长1460nm,远场发散角为39°×11°
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