具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法

 一种具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,包括：采用金属有机化学气相沉积的方法,在半导体衬底上依次生长低温GaN缓冲层、不掺杂GaN层、N-GaN层、多量子阱层和P-GaN层,形成GaN外延片；将GaN外延片放入蒸发台,在P-GaN层的表面蒸镀CsCl或氯化物；蒸镀结束后,向蒸发台腔室中充入水汽,控制相对湿度使P-GaN层表面的CsCl或氯化物吸收水分逐渐长大形成CsCl或氯化物的纳米岛；将CsCl或氯化物纳米岛作为刻蚀掩膜,对GaN外延片进行刻蚀,形成表面粗化的GaN外延片；再将GaN外延片的一侧进行刻蚀,形成台面；在GaN外延片的上表面蒸镀一层ITO薄膜；在GaN外延片的上表面制作P电极,在台面上制作N电极,完成器件制备