GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术

利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质．XRD(x射线衍射)结果分析显示，键合后的样品中出现了新的合金和化合

试论集成化信息产品服务/Discussion on Integrated Information Product Service[J]

现代网络信息环境给文献情报机构提供了一个方便、快捷的集成化服务平台，用户一体化需求的发展趋势，又促使文献情报机构必须打破原有的服务模式的限制，树立适应环境和用户需求的服务理念，加大信息资源的加工与整合力度，充分利用自身优势为用户提供集成化信息产品服务，促进科技知识转变为生产力，进而转化成经济效益和社会效益。本文对开发集成化信息产品服务的步骤及内容进行了初步探讨