国家自然科学基金半导体学科2001年项目概况分析

简介并分析最近几年半导体学科基金项目申请和资助的发展趋势以及2001年半导体学科基金申请与资助概况，并附2001年半导体学科批准资助的面上及重点项目，供有关科技工作者参考

用改进的调制光电流相 称分析技术研究氢人非晶硅的隙态分布

提出了一种严格校准调制光电流相移的方法,在此基础上,采用调制光电流相移分析技术研究了不掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜费米能级以上隙态密度及其分布的光致变化效应。实验发现，光电流相移的校准对确定隙态密度及其分布是至关重要的。除了校准测试系统的相移频率特性外，还需考虑样品本射电阻、电容等参数的影响，否则会使隙态密度偏低1-2个数量级，经严格校准的光电流相移测试，a-Si:H的隙态分布在导带边以下约0.43eV处观察到一个峰，可能是双占据悬挂键D~-中心引起的。光照引起浅态减小，深态增加，引起了隙态重新分布