18 research outputs found

    GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析

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    采用不同的化学腐蚀方法,探讨了不同体系成份、温度、腐蚀过程的吸放热对晶片均匀性的影响,提出氨水系列,进行晶片化学腐蚀,晶片厚度均匀性11.47%,为下步工艺提供平整度较好的晶片

    双面抛光机

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