HIRFL装置的ECR离子源

本文报导了ECR源对接于SFC束运线前后的一些实验改进工作。给出在该源上使用冷阴极电子枪的初步实验结果

高电荷态ECR离子源

介绍了目前 ECR离子源的发展状况和国际上几台典型的 ECR离子

CAPRICE型10GHzECR源磁场的改进

文章介绍ＣＡＰＲＩＣＥ型１０ＧＨｚＥＣＲ源磁场构形的改进。改进后使Ａｒ￣（８＋）离子束流增强约２０％且注入级和引出级线圈的电功率消耗分别降低１０％和２０％以上。The improvement on the magnetic field configuration is carried out. A benefit in Ar￣(8+) beamcurrent of approximate 20% is achieved for improved magnetic field configuration. The averageelectric power consumption for source solenoids is decreased by 10% for injection side and morethan 20% for extraction side of the source, respectively

关于强流ECR质子源氢等离子体发射光谱的诊断研究；OES diagnostics of H_2 plasma in an intense ECR proton source

本文通过发射光谱诊断方法,用H_2等离子体的辐射碰撞模型对连续溃入的微波功率和全永磁磁场约束下产生高密度的H_2等离子体进行光谱诊断,计算出一定放电条件下(微波功率200-700 W,压强0-2 Pa)H~+的密度为1010-1011 cm~(-3),另外讨论了实验中观察到的Balmer系氢原子发射光谱强度随放电条件的变化规律

激光产生等离子体的研究

强激光（≈１０８－１０９Ｗ·ｃｍ－２）轰击固体靶产生等离子体，用４ｋＶ电势引出，得到最高总束流峰值为４．５ｍＡ，观察到离子最高电荷态为Ｃ３＋，Ａｌ３＋，Ｃｕ４＋，Ｔａ５＋，Ｐｂ４＋。另外，还详细研究了激光参数对等离子体的影响及激光等离子体的损失。A plasma has been produced with a solid target bombarded by a laser beam of high power (≈106-109W·cm-2). The total peak current of 4.5mA was obtained when 4kV of extracting potential was applied. The ions C3+,Al3+,Cu4+,Ta5+,Pb4+ were detected. In addition,the influence of laser parameters on the plasma and the loss of laser induced plasma are discussed in detail

高电荷离子N~（4＋）与Na原子碰撞中量子态选择的电子俘获

用发射光谱法研究了由ＥＣＲ源产生的高电荷态离子Ｎ４＋与Ｎａ原子碰撞过程中的量子态选择的电子俘获。研究表明，在Ｎ４＋＋Ｎａ碰撞体系中存在三种激发通道：（１）单电子俘获激发；（２）双电子俘获激发；（３）靶原子直接激发。计算了观察到的ＮⅣ，ＮⅢ，ＮａⅠ各发射谱线的发射截面和Ｎａ（３ｐ）的激发截面，并研究了在０．３８ａ．ｕ．──０．４４ａ．ｕ．速度范围内这些截面对入射离子速度的依赖关系

ECR离子源金属离子的产生

讨论了ECR离子源金属供料方法 ,在 1 4 5GHzECR离子源上应用炉子加热和MIVOC法获得了 40 Ca11+1 40eμA和5 6 Fe10 +65eμA ,并对实验过程和结果作了分

高电荷态ECR离子源

综述了中国科学院近代物理研究所近几年来高电荷态ECR离子源的最新进展

单电荷态ECR离子源

本实用新型涉及一种单电荷态ＥＣＲ离子源，包括微波窗、磁场、弧腔、等离子体电极、吸极、绝缘环和法拉第筒；磁铁部分为永磁体，在弧腔内设有双层水冷；在微波窗前设有微波产生及传输装置；本实用新型利用双层水冷弧腔来冷却永磁体可避免对永磁体的腐蚀，另用永磁体代替线包，可减少调节量、降低造价，另采用结构简单的微波产生及传输系统可大大降低成本

光伏型InAs量子点红外探测器结构

一种光伏型InAs量子点红外探测器结构，包括：一GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在重掺杂或半绝缘GaAs衬底上；一未掺杂的下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上面的一侧，在GaAs底接触层的另一侧形成一台面；一5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层制作在未掺杂的下GaAs隔离层上，该5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层是实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在5-100个周期的InAs/AlGaAs/GaAs结构层上；该GaAs顶接触层进行高浓度掺杂从而实现与电极材料的欧姆接触；一上电极制作在GaAs顶接触层的中间部位；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以收集电子，输出电流或电压信号；所述上电极与下电极一起能构成探测器检测回路