1.3μm InGaAsP/InP长寿命激光器

本交报道精心外延及光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低闽值电流Ith=17mA,外微分效率η=25%（单面）,最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过40mW。采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性。器件在25℃时的中值寿命为26万小时

1.3μm InGaAsP/InP隐埋异质结条形（BH）激光器连续激射

本文论述了一种作为长波长光纤通信光源的1.3μm InGaAsP/InP隐埋异质结条形（BH）激光器的结构、制作及电光特性。用这种方法可重复制出低阈值、大功率输出、高微分量子效率和高温特性好的器件

低温液相外延的1.3μmDC—PBH激光器

本文报道采用560℃低温二次液相外延及精心光刻腐蚀,使外延片质量提高,器件的光电特性得到改善。最低I（?）h=1.7mA,外微分量子效率η=25%（单面）,最高连续激射温度为130℃,最大输出功率超过30mW。并采用PbSn焊料改进制管工艺,提高了器件的可靠性