用于掺铒光纤放大器泵浦源的高性能980nm InGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料，其最低的阈值电流密度可达到120A/cm~2，激发波长在980nm左右。获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源，其典型的阈值电流为15mA，外微分量子效率的典型值和最好值分别为0.8mW/mA和10.mW/mA，线性输出功率大于120mW，在20℃-50℃的特征温度T_0为125K。器件在50℃，80mW下的恒功率老化实验表明具有较好的可靠性，与掺铒单模光纤耦合的组合件出纤功率可达63mW

980 nm InGaAs应变量子阱激光器和掺铒光纤放大器用泵浦源

利用分子束外延技术研制出了高质量InGaAs/GaAs应变量子阱材料及量子阱激光器。在室温和10 K温度下,应变量子阱材料的光荧光峰值半宽分别为32 meV和.4 meV,宽接触激光器的阈值电流密度低达140 A/cm~2。脊形波导窄条形量子阱激光器的阈值电流和微分量子效率分别为15 mA和0.8 W/A,线性输出功率大于120 mW,基横模输出功率可达100 mW。InGaAs应变量子阱激光器和单模光纤进行了耦合其组合件出纤光功率典型值为40 mW,最大值可达60 mW,显示出了高的基横模输出功率和高的耦合效率。其组合件在40 mW下,中心发射波长在977 nm,成功地研制出适于掺铒光纤放大器用的应变量子阱激光器泵浦源

低阈值电流密度InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

利用分子束外延技术,生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器。在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A/cm~2,在腔长为2000μm时是113A/cm~2,这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值。激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm~(-1)和84％

掺铒光纤放大器泵浦源用980nm量子阱激光器

利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140/cm~2,激发波长在980nm左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980nm量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mW的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上

980nm InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

报道了眷形波导InGaAs/AIGaAs应变量子阱激光器的特性和实验结果。激光器阈值电流最低为9mA，典型值为15mA，线性输出光功率大于120mW，微分量子效率典型值为60％(镀高反膜和增透膜)，50℃、80mW恒定功率条件下老化实验结果表

低阈值级联双区脊形波导单量子阱激光器

报道了低阈值联双区脊形波导单量子阱激光器的制备，介绍了它的直流输出特性、光双稳特性、光谱波长调谐和高频调制PS特性。该激光器激射波长约为850nm，调谐宽度为7nm