GaN基PIN结构X射线探测器

<span>使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器,研究了探测器对X射线响应的多方面性能。在没有X射线照射时,探测器具有很小的漏电流,在-10 V时小于0.1 nA。对探测器的X射线的响应时间特性进行了分析和模拟,给出了很好的物理机制解释。研究了信噪比随外加偏压的变化,并得到了最佳信噪比对应的工作电压为-20 V。&nbsp;</span

an approach of trusted usage control in distributed environment

当前分布式环境下,数据分发后产生了多种新的安全需求,传统的访问控制模型早已无法满足实际需要.因此,基于新型的使用控制模型UCON和可信计算技术,针对分布式环境下的信息安全需求,构建了一种通用的、可协商的可信使用控制架构TUC(trusted usage control).该架构利用硬件信任根TPM实施使用控制,引入策略和密钥协商机制,保证数据分发、传输、存储和使用控制过程中的机密性、完整性、可控性.此外,通过使用控制策略与分发数据的绑定,TUC的使用控制实施不会局限于特定的应用环境,增强了方案的通用性.针对原型系统的性能测试表明,TUC的表现达到了预期,为分布式环境下的访问控制实施提供了可行的解决方案.国家科技支撑计划基金项目(2008BAH22B06)|国家“八六三”高技术研究发展计划基金项目(2007AA01Z465)|国家自然科学基金项目(60970028)|中国科学院知识创新工程领域前沿项目(ISCAS2009-DR14,ISCAS2009-GR03)In distributed environment, digital data can be easily distributed and various kinds of security requirements emerge after the data distribution. However, traditional access control solutions suffer from difficulties both in the access rights authorization and the usage policy enforcement, especially under the heterogeneous, distributed network environments. In this paper, a new architecture called TUC (trusted usage control) is proposed against the information security requirements under distributed environment based on usage control model and trusted computing technology. TUC is presented to achieve usage control based upon the hardware trust root TPM. In this way, confidentiality, integrity and controllability of the data are assured not only in distribution, transmission, storage but also in usage control. It is necessary to design TUC as a general access solution by binding policies to the usage-controlled digital content. So TUC isn't limited to the specific application environment. Moreover, TUC is a negotiable solution because of the key and policy negotiation in our design. In this way, both the user's and the owner's requirements are taken into consideration. The design and implementation of TUC is then detailed in this paper. Test results show that the performance of TUC is acceptable for access control in distributed environment

Ⅲ族氮化物MISHEMT器件

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、第二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第一半导体设置于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，并且与第二半导体、主栅形成半导体-绝缘层-金属接触（MIS）；第二介质层设置于第一介质层和主栅表面，将主栅和副栅形成电隔离。主栅设置于第一介质层表面靠近源电极一侧；副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制&ldquo;电流崩塌效应&rdquo;

Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件

一种Ⅲ族氮化物增强型MISHEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，第一、二介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、二半导体，第一半导体设于源、漏电极之间，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一介质层设于第二半导体表面，第二介质层设于第一介质层和主栅表面，主栅设于第一介质层表面靠近源电极一侧，并与第一介质层、第二半导体形成MIS结构，且位于主栅下方的第二半导体局部区域内部还形成有等离子体处理区，副栅形成于第二介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制&ldquo;电流崩塌效应&rdquo;