SPEM2XPDL模型转换研究

软件过程模型的执行是软件过程建模研究中的重要问题。对象管理组织提出的软件过程工程元模型（Software Process Engineering Metamodel，SPEM）具有良好的过程描述能力且取得了广泛应用。但是，SPEM侧重于软件过程描述方面，缺乏对软件过程模型的执行支持。 传统的软件过程支持系统对过程执行提供了一定支持，但其很少应用于实际项目。相比之下，工作流管理系统具有强大的过程执行支持能力，已有很多成熟产品。由于软件过程和工作流过程遵循相同的过程范型，将软件过程转换为工作流过程，基于成熟的工作流管理系统为软件过程提供执行支持是实际可行的方法。 因此，为了对SPEM模型提供过程执行支持，本文提出了SPEM2XPDL模型转换方法并在该方法的基础上设计和实现了模型转换引擎，将SPEM描述的软件过程转换为XML过程定义语言（XML Process Definition Language，XPDL）描述的工作流过程，从而可基于工作流管理系统对SPEM模型提供执行支持。 SPEM2XPDL模型转换方法的优点主要表现在：一、结合了SPEM在软件过程描述上的优势以及XPDL在过程执行支持上的优势。二、SPEM和XPDL都是国际标准，本身可以保证SPEM模型和XPDL模型的可重用性，减少了因重复开发软件过程模型而带来的巨大成本。三、由于SPEM和具体的软件开发过程无关，因此，本文提出的模型转换方法和引擎可以对组织实施RUP, XP等多种软件开发过程提供支持，具有现实可用性。 本文详细阐述了SPEM2XPDL模型转换方法，包含模型的转换规则以及在转换规则基础上设计的模型转换算法两部分内容。基于模型转换方法，本文具体设计实现了SPEM2XPDL模型转换引擎，详细描述了SPEM2XPDL引擎的系统架构以及系统各主要组成部分的设计和实现方法。同时，本文通过一个实际的模型转换实例验证了SPEM2XPDL模型转换方法以及引擎的现实可用性

research of spem2xpdl model transformation

将软件过程技术与工作流技术相结合,严格定义了SPEM2XPDL模型转换规则,设计并实现了一个SPEM2XPDL模型转换引擎.此引擎将SPEM描述的软件过程转换为符合工作流定义(XPDL)的工作流过程,从而可基于工作流管理系统对软件过程提供执行支持.SPEM模型经引擎转换后在工作流管理系统Shark上的成功执行表明了引擎的可用性

XML-based Document Model for Networked Manufacturing System

针对网络化制造系统中分布式异构环境下产品协同设计制造数据结构化和非结构化的特点,提出了网络化制造中产品设计制造信息资源的XML统一描述,以及XML文档树结构的定义与模型,并将该模型应用于Web结构的产品异地协同设计制造系统,给出了XML样式化接口和映射接口的实现机制。以机加件类零件为例,给出产品文档树型结构模型的模板与映射接口的实例化,不仅实现了Web环境下的产品异地协同设计中信息资源的浏览与交互处理,而且通过数据映射接口,为远程机加件的在线加工后处理提供了有效的数据

基于能带调制模型的高压增强型A1GaN/GaNHFET器件

提出了一种能带调制模型,通过在异质结界面处引入负离子电荷(如氟离子)调制异质结处的局部能带分布,实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型,提出了一种复合调制沟道A1GaN/GaN HFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子,不仅实现了增强型器件,而并且可以降低尖峰电场,优化异质结电场分布,提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了拟分析,并通过实验结果表明,其器件品质因子FOM由传统器件的4.8 MW?cm~(-2)提高到26.7 MW?cm~(-2)。 An energy band modulation model is proposed. The introduction of negative ions into the hetero-junction interface for modulating regional energy band distribution changes the electron density of 2DEG at the hetero-junction interface. Based on the energband modulation model,a complex modulated channel AlGaN/GaN HFET is proposed. Enhancement mode device which reduces the electric field peaks and optimizes the electric field distribution as well as enhances the breakdown voltage is achieved through different doping concentration of negative ions in enhancement-mode channel modulation region and RESURF modulation region,respectively. The experimental result indicates that the figure of merit (BV~(2)/R_ON) increases from 4.8 MW?cm~(-2)to 26.7 MW?cm~(-2)