Zn_(0.83)Mn_(0.17)Se和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格材料中Mn~(2+)的压力光谱研究

采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn~(2+)离子的4 T1→6 A1跃迁，该谱线在Zn_(0.83)Mn_(0.17)Se和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格样品中有不同的压力行为，体材料中其压力系数为-42.4peV/Pa，超晶格中为-29.5peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn_(0.83)Mn_(0.17)Se中Mn~(2+)离子4 T1→6 A1谱线的压力系数为-38.3peV/Pa，与实验结果基本一致。结合材料中发光峰积分强度随压力的变化关系进行分析，证实Mn~(2+)离子的发光性质主要与其近邻的晶体场环境有关

用硅离子注入SiO_2层方法制备的纳米硅的光学性质

报道了用硅离子注入热氧化生长的SiO_2层后热退火的方法制备纳米硅样品,并在室温下测量了样品的光致发光谱及其退火温度的关系。实验结果表明,在800℃以下退火的样品的发光是由于离子注入而引入SiO_2层的缺陷发光,在900℃以上退火,才观察到纳米硅的发光,在1100℃下退火,纳米硅发光达到最强,纳米硅的发光峰随退火温度升高而红移呈量子尺寸效应。在直角散射配置下,首次观察到纳米硅的特征拉曼散射峰,进一步证实了光致发光谱的结果

生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究

在室温下测量了用MOVPE方法生长在尖晶石(MgAl_2O_4)衬底上的GaN外延层的一阶喇曼光谱。应用各种背散射和90°散射配置，测得了除低频E_2模外所有GaN的喇曼活性光学声子模。并且在X(Z,X)Z和X(Y,Y)Z配置下观测到了由A_1和E_2模混合形成的准TO和准LO模。所得结果与群论选择定则预计的一致

不同尺寸ZnS:Mn纳米粒子的静压光致发光研究

测量了ZnS:Mn纳米粒子以及相应体材料在不同压力下的光致发光谱.随压力增大,来源于Mn2+离子的4T1-6A1跃迁的桔黄色发光明显红移.体材料和10,4.5,3.5,3 nm的ZnS:Mn纳米粒子中Mn2+发光的压力系数分别是-29.4±0.3和-30.1±0.3,-33.3±0.6,-34.6±0.8,-39±1 meV/GPa,压力系数的绝对值随粒子尺寸减小而增大,该种尺寸关系由晶体场场强Dq和Racah参数B值的尺寸依赖性引起.1nm样品的Mn2+发光的特殊压力行为是因为样品的粒子尺寸比较小,另外,分布在Y型沸石中的纳米粒子的表面状况也不同于其它样品

Multi-criteria radio frequency identification (RFID) tag data integration and conversion method

本发明提供一种多标准RFID标签数据集成与转换方法，所述多协议处理器主要包括以下组件：RFID数据收发器，输入缓冲区，RFID标准转换接口，消息产生器，流数据处理引擎，解析器，输出缓冲区；具体连接关系为：所述RFID数据收发器输出端与输入缓冲区通信连接，信号输入端与输出缓冲区通信连接；所述RFID标准转换接口输入端与输入缓冲区通信连接，输出端与输出缓冲区连接；所述RFID标准转换接口输出端还与消息产生器连接，输入端还与解析器连接；所述流数据处理引擎输入端接收消息产生器的信息，输出端与解析器连接。本发明有效解决RFID多协议标准的标准化转化问题，满足了现有RFID应用系统中兼容多标准RFID标签数据的需求