ЯВЛЯЕТСЯ ЛИ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ СЕГОДНЯ ВСЕГО ЛИШЬ ПРИНЦИПОМ СОХРАНЕНИЯ И САМООГРАНИЧЕНИЯ ИЛИ ПО-ПРЕЖНЕМУ ВЫСТУПАЕТ ПРИНЦИПОМ ОСВОБОЖДЕНИЯ И ПРЕТВОРЕНИЯ В ЖИЗНЬ ГУМАННОСТИ?

ЯВЛЯЕТСЯ ЛИ ОТВЕТСТВЕННОСТЬ СЕГОДНЯ ВСЕГО ЛИШЬ ПРИНЦИПОМ СОХРАНЕНИЯ И САМООГРАНИЧЕНИЯ ИЛИ ПО-ПРЕЖНЕМУ ВЫСТУПАЕТ ПРИНЦИПОМ ОСВОБОЖДЕНИЯ И ПРЕТВОРЕНИЯ В ЖИЗНЬ ГУМАННОСТИ

ИССЛЕДОВАНИЕ АНИЗОТРОПИИ ПРОЧНОСТИ И МИКРОПОЛЗУЧЕСТИ ПОЛИМЕРНЫХ ПЛЕНОК – МАТРИЦ ТРЕКОВЫХ МЕМБРАН

В работе исследованы двуосноориентированные полимерные пленки, применяемые в качестве основы трековых мембран. Оценку влияния ориентационной анизотропии исходных пленок на прочность трековых мембран осуществля- ли методом гравитационного нагружения. Микроползучесть при растяжении фиксировали измерением малых дефор- маций пленок при УФ-облучении. В результате исследования обнаружена значительная ориентационная анизотропия прочности и ползучести трековых мембран на основе ориентированных ПП и ПЭТФ-пленок. Показана возможность ис- пользования метода измерения малых деформаций при УФ-облучении для диагностики анизотропии физико- механических характеристик полимерных пленок

УСИЛЕННЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ В МАССИВАХ НАНОСТОЛБИКОВ НИКЕЛЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ

We show that the magnetoresistive properties of n−Si/SiO2/Ni nanostructures containing nanogranular nickel pillars in verticals pores of the SiO2 layer differ considerably from those properties of previously studied nanogranular Ni films electrodeposited onto n−Si wafers. The electrophysical properties of these nanostructures are similar to those of a system consisting of two opposite−connected Si/Ni Shottky diodes. We studied the magnetoresistance of these structures in the 2—300 K temperature range and in magnetic fields of up to 8 Tl. The studies suggest that at 17—27 K the structures have a posi- tive magnetoresistive effect the magnitude of which depends on the transverse bias applied to the structure and increases with a decrease in the longitudinal current (along the pillars). At 100 nA current, the relative magnetoresistance in a 8 Tl field increased by 500 to 35,000% as the transverse bias varies from 0 to −2 V. The magnetoresistive effect observed in the structures is likely to be related to the effect of the magnetic field on the impact ionization of the impurities causing an avalanche breakdown of the Si/Ni Shottky diode. We prove the possibility of controlling the magnetoresistive effect in n−Si/SiO2/Ni template structures by applying an additional (transverse) electric field to the nanostructure between the silicon substrate (functioning as the third electrode) and the nickel nanopillars. Показано, что магниторезистивные свойства наноструктур n−Si/SiO2/Ni, содержащих наногранулированные никелевые стержни в вертикальных порах в слое SiO2, существенно отличаются от аналогичных свойств в ранее исследованных наногранулированных пленках Ni, электроосажденных на пластины n−Si. С точки зрения  электрофизических свойств изученные наноструктуры аналогичны системе двух диодов Шотки Si/Ni, включенных навстречу друг другу. В интервале температур 2—300 К и магнитных полей  до 8 Тл исследовано магнитосопротивление таких структур. Установлено, что при температурах 17—27 K структуры обладают положительным  магниторезистивным эффектом, величина которого зависит от приложенного к структуре поперечного напряжения и возрастает по мере уменьшения силы продольного (вдоль  столбиков) тока. При токе 100 нА относительное магнитосопротивление в поле 8 Tл возрастает от 500 до 35000  % при изменении поперечного напряжения от 0 до −2 В. Наблюдаемый магниторезистивный эффект, повидимому, связан с влиянием магнитного поля на процессы ударной ионизации примесей,  приводящие к лавинному пробою барьера Шотки Ni/Si. Доказана возможность управления магниторезистивным эффектом в темплатных структурах  n−Si/  SiO2/Ni, прикладывая к наноструктуре дополнительное (поперечное) электрическое поле между кремниевой подложкой (как третьим электродом) и никелевыми столбиками