A Technique for Designing Variation Resilient Subthreshold Sram Cell

This paper presents a technique for designing a variability aware subthreshold SRAM cell. The architecture of the proposed cell is similar to the standard read-decoupled 8-transistor (RD8T) SRAM cell with the exception that the access FETS are replaced with transmission gates (TGs). In this work, various design metrics are assessed and compared with RD8T SRAM cell. The proposed design offers 2.14× and 1.75× improvement in TRA (read access time) and TWA (write access time) respectively compared with RD8T. It proves its robustness against process variations by featuring narrower spread in TRA distribution (2.35×) and TWA distribution (3.79×) compared with RD8T. The proposed bitcell offers 1.16× higher read current (IREAD) and 1.64× lower bitline leakage current (ILEAK) respectively compared with RD8T. It also shows its robustness by offering 1.34× (1.58×) tighter spread in IREAD (ILEAK) compared with RD8T. It exhibits 1.42× larger IREAD to ILEAK ratio. It shows 2.2× higher frequency @ 250 mV with read bitline capacitance of 10 fF. Besides, the proposed bitcell achieves same read stability and write-ability as that of RD8T at the cost of 3 extra transistors. The leakage power of the proposed design is close to that of RD8T.   ABSTRAK: Kertas kerja ini membentangkan teknik merekabentuk sel bawah ambang SRAM yang bolehubah. Senibina sel yang dicadangkan adalah sama dengan sel SRAM 8-transistor (RD8T) “pisahan-bacaan” piawai kecuali FET akses  digantikan dengan sel pintu transmisi (TGs). Di dalam kajian ini, beberapa metrik rekabentuk dinilai dan dibandingkan dengan sel RD8T SRAM. Rekabentuk yang dicadangkan menawarkan  peningkatan 2.14× dan 1.75×  dalam TRA (masa akses baca) dan TWA (masa akses tulis) berbanding dengan RD8T. Ia membuktikan kekukuhan variasi proses dengan menampilkan tebaran yang lebih sempit dalam pengagihan TRA (2.35 ×) dan pengagihan TWA (3.79 ×) berbanding dengan RD8T. Sel-Bit yang dicadangkan mempunyai arus baca 1.16 × lebih tinggi  (IREAD) dan arus bocor bitline 1.64 × lebih rendah (ILEAK) berbanding dengan RD8T. Ia juga membuktikan kekukuhan dengan menawarkan 1.34 × (1.58 ×) penyebaran sempit di IREAD (ILEAK) berbanding dengan RD8T dan nisbah IREAD / ILEAK 1.42 × lebih besar. Ia menunjukkan kekerapan 2.2 × lebih tinggi pada 250 mV dengan kemuatan membaca bitline sebanyak 10 fF. Selain itu, sel bit yang dicadangkan mencapai kestabilan membaca dan keupayaan menulis yang sama seperti RD8T dengan kos tambahan 3 transistor. Kebocoran kuasa  rekabentuk yang dicadangkan hampir sama dengan RD8T. KEYWORDS: variability; robust, subthreshold; random dopant fluctuation (RDF); read static noise margin (RSNM); write static noise margin (WSNM)