Pontos quânticos induzidos por geometria em superfícies com deformações gaussianas.

Abstract

Uma partícula quântica, sobre uma superfície bidimensional orientável, experimenta um potencial geométrico atrativo induzido, que é caracterizado por suas curvaturas média e Gaussiana. Neste trabalho investigamos o comportamento de elétrons em superfícies com deformações Gaussianas. Para superfícies apresentando saliências individuais, descobrimos que o potencial geométrico gera um anel quântico induzido pela geometria da superfície. Para superfícies com múltiplas deformações, as partículas quânticas podem ser presas em torno do centro de tais superfícies, o que gera um ponto quântico pela geometria induzida. Informações sobre as curvaturas média e Gaussiana são de grande importância para o entendimento do comportamento de determinada partícula quando ela estar em uma superfície. Juntando essas informações com alguns conceitos da mecânica quântica, como equação de Schrodinger, analises de potencial e outros recursos, podemos obter equações que relacionam a energia potencial com as curvaturas média e Gaussiana. Os nossos resultados podem encontrar aplicações no contexto de semicondutores habituais, bem como em bicamadas de grafeno.A quantum particle, over a two-dimensional orientable surface, suffers the action of a geometric potential induced attractive, characterized by mean and Gaussian curvatures. In this work we investigate the behavior of electrons on surfaces showing Gaussian bumps. For surfaces showing single bumps, we a nd that the geometrical potential gives rise to a geometry-induced quantum ring. For surfaces with multiples bumps, quantum particles could be trapped around the center of those surfaces, which gives rise to a geometry-induced quantum dot. Information about mean and Gaussian curvatures are of great importance for the understanding of the behavior of a given particle when it on a surface to be. Joining this information with some concepts of quantum mechanics, as the Schr odinger equation, analysis of potential and other resources, we obtain equations that relate the potential energy with the mean and Gaussian curvatures. Our results can nd applications in the context of usual semiconductors as well as in the context of bilayer graphene sheets.Cape