Skip to main content
Article thumbnail
Location of Repository

Croissance de semi-conducteurs à grand gap

By Jean-Marc DEDULLE, CHAUSSENDE D., MADAR R., PONS M., BLANQUET E., BAILLET F., CHICHIGNOUD G., UCAR-MORAIS M. and CLAUDEL A.

Abstract

La modélisation et la simulation des procédés de croissance tel que le transport physique en phase vapeur (PVT), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD ou HTCVD) et les techniques hybrides (CFPVT), sont suffisamment au point pour être utilisées comme des outils de compréhension des phénomènes physiques couplés et comme des outils de conception de nouveaux procédés et d'optimisation de procédés existants. La modélisation des procédés d'élaboration rassemble plusieurs voies physico-chimiques de complexité variable, depuis des études thermodynamiques et/ou cinétiques jusqu'aux transferts simultanés de matière et de chaleur couplées avec les bases de données et propriétés thermodynamiques et/ou cinétiques et de transport. Différentes voies de modélisation sont utilisées, thermodynamiques, cinétique ou transfert de masse, de façon couplée ou découplée, permettant de visualiser l'évolution de la croissance et ainsi comprendre le rôle complexe et fortement couplé des phénomènes

Topics: MS2 - Matériaux et Procédés ; Mise en forme alliages métalliques à chaud et poudres, Croissance SiC / AlN, PVT / CVD, Modélisation
Publisher: AFM, Maison de la Mécanique, 39/41 rue Louis Blanc - 92400 Courbevoie
Year: 2007
OAI identifier: oai:documents.irevues.inist.fr:2042/15883
Provided by: I-Revues

Suggested articles


To submit an update or takedown request for this paper, please submit an Update/Correction/Removal Request.