Второй иностранный язык (итальянский) : электронный учебно-методический комплекс для специальности: 1-21 05 06 «Романо-германская филология» / Е. А. Иванович, И. М. Деревяго ; БГУ, Филологический фак., Каф. романского языкознания. – Минск : БГУ, 2019. – 68 с. : ил. – Библиогр.: с. 45.

Электронный учебно-методический комплекс предназначен для студентов 2 курса филологического факультета специальности 1-21 05 06 «Романо-германская филология». ЭУМК включает систематический курс грамматики, охватывающий морфологию и синтаксис, разнообразные аспекты лексических особенностей итальянского языка. Грамматические, лексические и стилистические явления изучаются в комплексе в процессе обучения речевой деятельности

Научно-методическое обеспечение магистерской подготовки инновационно-образовательного типа : материалы Международного научно-практического дистанционного семинара, 14–15 мая 2019 г., Минск, Беларусь / БГУ, Главное управление образовательной деятельности, БГПУ им. М. Танка ; [редкол.: А. А. Полонников, Н. Д. Корчалова]. – Минск : БГУ, 2020. – 98 с. – Библиогр. в тексте.

В сборнике представлены результаты концептуальной и прикладной проработки проблематики научно-методического обеспечения магистерской подготовки, выступающей условием инновационного развития университетского образования. Один из акцентов в настоящем издании сделан на практики чтения, которые подвергнуты историческому, теоретическому, методическому анализу и экспериментальному изучению. Авторами поставлены вопросы о перспективных направлениях и актуальных задачах организации обучения в магистратуре. Адресуется преподавателям, научным работникам, студентам и аспирантам УВО, специализирующимся в области эдукативных нау

Temperature dependence of Raman scattering in the Cu2ZnSnSe4 thin films on a Ta foil substrate

The temperature dependence (in range from 24 to 290 K) of Raman spectroscopy of the Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) films with Zn-rich (series A) and Zn-poor (series B) composition obtained on a Ta foil is investigated. Analisys and approximation by the Lorentz function of the CZTSe Raman spectra suggests that the CZTSe most intense Raman peak consists of two modes (at 192/189 and 194/195 cm−1), which are slightly shifted from each other. In addition, the Raman peaks around 192 and 189 cm−1 lead to asymmetric broadening of dominant peaks at 194 and 195 cm−1 in Raman spectra of the CZTSe films series A and B, respectively. In the case of the Sn-rich CZTSe films, we attribute of Raman peak around 189 cm−1 to SnSe2 compound. However in the case of the Snpoor CZTSe films, the observable shift is too high to assign confidently the 192 cm−1 band to a SnSe2 compound, which was not detected by XRD analysis. We suppose that this mode is attributed to disordered kesterite structure. The temperature dependence Raman spectra for both series of the CZTSe films shows that a change temperature from 290 to 24 K leads to position shift and narrowing of the CZTSe Raman A-modes. The calculated temperature coefficients and anharmonic constants in Klemens model approximations for temperature dependence of shift position and FWHM of the CZTSe A-modes shown that four-phonon process has dominant contribution in damping process and as a consequence in Raman spectrum changes for two series of the CZTSe films

Effective p-type photocurrent sensitization of n-Bi2O3 with p-CuBi2O4 and p-CuO: Z-scheme photoelectrochemical system

Nanostructured n-Bi2O3/p-CuBi2O4/p-CuO photocathodes with incident photon-to-current conversion efficiency IPCEmax = 70% (λ = 400 nm) have been prepared using electrochemical and chemical methods. Platelet-like BiOI nanocrystals electrochemically deposited on FTO substrate were used as precursors. CuI nanoparticles were deposited on the BiOI surface by successive ionic layer adsorption and reaction technique. Oxidative heat treatment of BiOI/CuI heterostructure in air leads to the formation of the Bi2O3/CuBi2O4/CuO composite. Binary oxide was formed as a result of solid-state interaction between bismuth and copper oxides at their interface. Spectral sensitization of wide-gap n-Bi2O3 (band gap Eg = 2.80 eV) with narrow-gap p-CuBi2O4 (Eg = 1.80 eV) and p-CuO (Eg = 1.45 eV) extends spectral sensitivity range up to 800 nm by Z-scheme implementation: cathodic photocurrent is associated with the transition of photoelectrons from p-CuBi2O4 and p-CuO to the solution, while photoholes recombine with electrons of n-Bi2O3 conduction band. High quantum efficiency of photocurrent was achieved due to band-edge correlation in a three-component oxide heterostructure, combined with an internal electric field in p-CuBi2O4 and effective photon absorption by two narrow-band-gap p-CuBi2O4 and p-CuO semiconductors

Военно-политическое сотрудничество двух государств между Бразилией и КНР

Раздел 1. Государство и право. История. Политология. Международные отношени