Quantitative analysis of NbN thin films by EELS technique in STEM mode

Abstract

Количественная информация об электрофизических свойствах ультратонких (5 нм) сверхпроводящих пленок NbN до и после облучения ионами с энергией (0.1-1 кэВ) исследуется методом спектроскопии энергетических потерь электронов в режиме сходящегося пучка электронов.Quantitative information about electrical properties of superconductive NbN ultrathin (0.5 nm) films before and after irradiation by ions with energies (0.1-1 keV) were investigated by Electron energy loss spectroscopy in STEM mode

    Similar works