宽禁带III-V族氮化物半导体由于其材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、介电常数小、电子有效质量较小等特性，在光电子领域有着重要的应用前景。在过去多年中，氮化物半导体材料的结构研究主要是超晶格量子阱结构，其性能在不断完善的工艺技术支持下有很大的发展空间。量子阱作为许多光电器件的核心功能部件，其最重要的应用是作为光电器件的有源层，束缚载流子并进行量子能级的跃迁和复合，量子阱的结构设计和生长影响着光电器件的各种性能。然而，氮化物量子阱异质界面处有着强烈的极化效应，极化效应引起的内建电场使得量子阱能带发生弯曲并进一步影响着量子阱的光电性质。因此调控量子阱中的极化场对能带弯曲的影响对于改变器件的性能起到...The III-V nitride wide band gap semiconductor has important application prospects in optoelectronics fields due to their wide band gap, high electron mobility, small dielectric constant and small electron effective mass. In the past several years, the research of nitride semiconductor material structure was mainly focused on the quantum well, whose performance has large development potential with ...学位：工学硕士院系专业：物理与机电工程学院物理学系_微电子学与固体电子学学号：1982009115254
