Auto-organisation de boites quantiques de Ge sur des substrats nanostructurés

Abstract

Le but de ce travail est l auto-organisation des boites quantiques (BQ) de Ge sur des substrats de Si(001) nanostructurés afin de réaliser des mémoires à nanocristaux de Ge. La croissance du Ge est effectuée par épitaxie par jets moléculaires et la nanostructuration des substrats par faisceau d ions focalisés. Nous avons développé deux procédés d auto-organisation l un sur Si l autre sur SiO2/Si qui permettent d obtenir des réseaux parfaitement ordonnés et très denses (>1011cm-2) de BQ nanométrique (15nm). Les procédés s appuient sur des mécanismes de germination préférentielle. Sur Si(001) les BQ germent dans les trous à basse température de par l inhomogénéité de la barrière de diffusion et aux bords des trous à haute température de par la relaxation de l énergie élastique. Sur SiO2/Si(001) les BQ se forment dans les trous pour minimiser l énergie de surface du système. Un procédé de fabrication des mémoires à nanocristaux a été proposé et des mémoires ont été fabriquées avec succès.AIX-MARSEILLE3-BU Sc.St Jérô (130552102) / SudocSudocFranceF