Дрейф свободного электрона в технологических вращающихся объектах

У статті розглядається дрейф вільного електрона у технологічних об’єктах, що обертаються під дією відцентрової сили при металообробці.In work state at the drift of the free electron in technological objects, which revolving under the action of the centrifugal force at the metal working.В статье рассматривается дрейф свободного электрона в технологических объектах, которые вращаются под действием центробежной силы при обработке металлов

Разработка и исследование монитора тормозного излучения для малогабаритного бетатрона

В статье рассматриваются вопросы построения схем синхронизации импульсного бетатрона. Приведено описание простой и надежной схемы, элементом задержки которой является однотактный магнитный усилитель (МУ). С помощью дополнительной обмотки в МУ вводится коррекция, осуществляющая автоматическую подстройку момента инжекции при колебаниях напряжения. Экспериментальная проверка показала достаточно высокую эффективность разработанной схемы. Описывается монитор мощности дозы тормозного излучения на основе токовой ионизационной камеры. Приведена электронная схема усилителя постоянного тока на полевом транзисторе для ионизационной камеры. Исследуются важнейшие характеристики монитора; линейность, температурная и временная стабильности

Моделирование экстремальных систем управления в среде Matlab и Simulink как средство анализа динамики

Рассмотрена возможность значительного упрощения процесса исследования динамики экстремальных систем управления с дрейфующими параметрами путем моделирования их в среде Matlab и Simulink. Показана трудоемкость аналитического исследования на примере системы с запоминанием экстремума. Приведены возможные варианты задания экстремальных объектов управления и алгоритмов экстремальных регуляторов в среде SimulinkyesБелгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухов

Температурный дрейф собственных частот микромеханического гироскопа

Целью работы является определение характеристик влияниятемпературного воздействия на собственные частоты микромеханического гироскопа, чувствительный элемент которого расположен на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (111), имеющей изотропию механических и температурных свойств во всех направлениях. Необходимость контроля метрологических характеристик, зависящих от собственных частот во всем температурном диапазоне, подтверждает актуальность данной темы исследования. В ходе исследования в среде ANSYS проведен температурно-модальный анализ модели, имитирующей первичные колебания микромеханического гироскопа. Модель микрорезонатора, выбранная в качестве имитатора первичных колебаний микромеханического гироскопа, адекватно отражает характер колебаний массы по оси первичных колебаний. В результате получены температурные зависимости собственных частот и определены наиболее температурно-независимые моды колебаний для осциллятора, выполненного на кремниевой пластине с кристаллографической ориентацией (111)

Варіанти побудови каналу обвідної в засобах вимірювання з періодичним порівнянням низькочастотних сигналів

Розглядаються варіанти виконання каналу обвідної для засобів вимірювання з періодичним порівнянням низькочастотних сигналів. У найбільш важливих випадках рекомендується використати підсилювач постійного струму типу МДМ з автоматичною корекцією дрейфу нуля

Модель межзеренной границы в р-n-структурах на основе поликристаллических полупроводников

В работе экспериментально исследованы влияния межзеренных границ (МЗГ) на дрейф носителей заряда в объеме поликристаллического кремния (ПК) и р-n-структур на их основе. Предложена модель р-n-перехода в области МЗГ ПК р-n-структур. Предложенные метод и модель р-n-перехода в МЗГ. Полученные результаты представляют существенный интерес при исследованиях поликристаллических полупроводниковых р-n-структур.У роботі експериментально досліджені впливи міжзернових границь (МЗГ) на дрейф носіїв заряду в об’ємі полікристалічного кремнію (ПК) і р-n-структур на їхній основі. Запропоновано модель р-n-переходу в області МЗГ ПК р-n-структур. Запропоновані метод і модель р-n-переходу в МЗГ. Отримані результати становлять істотний інтерес при дослідженнях полікристалічних напівпровідникових р-n-структур.We experimentally investigated the influence of inter-grain boundaries on the drift of charge carriers in the volume of polycrystalline silicon (PC) and p-n-structures based on them. A model of p-njunction in IGBs PC p-n-structures. The proposed method and model p-n-junction in the intergrain boundaries, and the results represent a significant interest in studies of polycrystalline semiconductor p-n-structures

Современные представления об эволюции

Дарвиновская теория эволюции была расширена и разработана в свете современных данных таких наук, как молекулярная биология, этология, экология, генетика. Эта теория получила название неодарвинизма или синтетической теории эволюции (СТЭ). Название нового научного направления было предложено английским ученым Дж. Хаксли в научном труде «Эволюция. Современный синтез» 1942г. Данная теория являлась обобщением данных различных наук. Термин «синтетическая» означал, что рождение научных идей осуществлялось коллективно многими учеными (Р. Фишер, И. И. Шмальгаузен, Н. В. Тимофеев-Ресовский, С.С.Четвериков, Э. Майр и др.)