Оптичні властивості гетеропереходу CdS/CdTe, отримані методом фізичного осадження з парової фази

The paper presents the study of the optical properties of a thin layer of Cadmium Sulphide deposited on Cadmium Telluride films. CdTe thin films were obtained by vapor phase condensation method using different technological factors, in particular, different thickness (different time of deposition τ) on glass substrates. After deposition the optical properties were analysed by Swanepoel method, using transmission spectra. The upper thin layer of CdS was deposited by thermal evaporation method on CdTe thin films. The change in optical properties of CdS/CdTe heterojunction in comparison with CdTe thin films was investigated. Using a Swanepoel method were calculated the main optical constants, such as refractive index, absorption coefficient and optical conductivity. By this method the thickness of the thin film was determined and compared with the experimental values obtained by the profilometer.У статті наведено дослідження оптичних властивостей тонкого шару сульфіду кадмію в плівках телуриду кадмію. Тонкі плівки CdTe були отримані методом відкритого випаровування у вакуумі, використовуючи різні технологічні фактори, зокрема, різну товщину (різний час осадження τ) на скляних підкладах. Після осадження оптичні властивості аналізували методом Swanepoel, використовуючи спектри пропускання. Наступний тонкий шар CdS осаджувався методом термічного випаровування на тонких плівках CdTe. Досліджено зміну оптичних властивостей гетероструктури CdS/CdTe у порівнянні з тонкими плівками CdTe. Використовуючи метод Swanepoel, розраховано основні оптичні константи, такі як показник заломлення, коефіцієнт поглинання та оптична провідність. За допомогою цього методу отримано товщину тонкої плівки та порівняно її з експериментальними значеннями, отриманих за допомогою профілометра

Технологія осадження відкритим випаровуванням у вакуумі фотоелектричних плівок CdTe

Thin films of CdTe were obtained by vapor phase condensation, namely by open vacuum evaporation, using different technological factors, in particular, different thickness (different time of deposition t) d = (540 -2835) nm, deposition temperature Td = 200°C and evaporator temperature Te (500 - 600)°C. The films were deposited on silicon substrates. The morphology of thin film condensates is determined on the basis of ASM and SEM studies analysis. Were received dependencies of average roughness and root mean square roughness from the material of substrate and film thickness. It was established that the growth of surface nanostructures is determined by Strankі-Krastanov mechanism.Методом осадження із парової фази, а саме шляхом відкритого випаровування у вакуумі отриманотонкі плівки CdTe, використовуючи різні технологічні фактори, зокрема, різну товщину (задається часом осадження t) d = (540 - 2835) нм, температуру осадження Td = 200°C та температуру випарника Te (500 -600)°C. Плівки осаджували на кремнієві підкладки. Морфологія тонкоплівкових конденсатів визначаєтьсяна основі аналізу ASM та SEM досліджень. Були отримані залежності середньої шорсткості тасередньоквадратичного відхилення від матеріалу підкладки та товщини плівки. Встановлено, що рістповерхневих наноструктур визначається механізмом Странкі-Крастанова

Structural, Optical and Electrical Properties of Zinc Oxide Layers Produced by Pulsed Laser Deposition Method

Abstract The structural, optical, and electrical properties of zinc oxide (ZnO) layers manufactured at different process conditions were investigated. ZnO epitaxial layers were grown on silicon, glass, and ITO/glass substrates by pulsed laser deposition (PLD) technique. The influence of power beam, substrate temperature, and deposition time on films properties was analysed. Morphological features of the film surface were investigated by scanning electron microscopy. A structural study shown planar orientation of films at low temperatures of substrate, but the columnar type of growth originated in temperature enhances. Electrical properties were determined in the temperature range 300–500 K. It was shown that the type of films conductivity is metallic and it is limited by charge transfer across grain boundaries