2 research outputs found
Effect of working gas pressure on interlayer mixing in magnetron-deposited Mo/Si multilayers
By methods of cross-sectional transmission electron microscopy and small-angle x-ray scattering (Ξ» = 0.154 nm) the influence of Ar gas pressure (1 to 4 mTorr) on the growth of amorphous interfaces in Mo/Si multilayers (MLs) deposited by DC magnetron sputtering is studied. The significant reduction in the ML period, which is evident as a volumetric contraction, is observed in MLs deposited at Ar pressure where the mean-free path for the sputtered atoms is comparable with the magnetronsubstrate distance. Some reduction in the thickness of the amorphous interlayers with Ar pressure increase is found, where the composition of the interlayers is enriched with molybdenum. The interface modification resulted in an increase in EUV reflectance of the Mo/Si ML
Π‘Π’Π Π£ΠΠ’Π£Π Π Π Π€ΠΠΠΠΠ«Π Π‘ΠΠ‘Π’ΠΠ ΠΠΠΠΠΠ‘ΠΠΠΠΠ«Π₯ Π ΠΠΠ’ΠΠΠΠΠΠ‘ΠΠΠ₯ ΠΠΠ ΠΠΠ W-Si
ΠΠ΅ΡΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΡΠ΅Π½ΡΠ³Π΅Π½ΠΎΠ²ΡΠΊΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡΡΠ°ΠΊΡΠΎΠΌΠ΅ΡΡΠΈΠΈ Π² ΠΆΠ΅ΡΡΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡΠΈ (l~0,154 Π½ΠΌ) ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΡΠ°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΠ°, ΡΠΎΡΡΠ°Π² ΠΈ ΡΡΡΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠ½ΡΡ
ΡΠ΅Π½ΡΠ³Π΅Π½ΠΎΠ²ΡΠΊΠΈΡ
Π·Π΅ΡΠΊΠ°Π» (ΠΠ Π) W/Si Ρ ΡΠΎΠ»ΡΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ»ΠΎΠ΅Π² Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° tW2,7 Π½ΠΌ ΡΠ»ΠΎΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° ΠΈΠΌΠ΅ΡΡ ΠΏΠΎΠ»ΠΈΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΡΡ (ΠΠ¦Π) ΡΡΡΡΠΊΡΡΡΡ, Π° ΠΏΡΠΈ tW<1,9 Π½ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ Π°ΠΌΠΎΡΡΠ½Ρ. ΠΡΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡΠΈ sin2Y-ΠΌΠ΅ΡΠΎΠ΄Π° ΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΎ, ΡΡΠΎ Π² ΡΠΎΠ½ΠΊΠΈΡ
ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΈΡ
ΡΠ»ΠΎΡΡ
Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° (tW<10 Π½ΠΌ) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ ΡΠΎΠ΄Π΅ΡΠΆΠ°ΡΡΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 3 Π°Ρ.% Si. Π Π°ΡΡΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡΡΠΈΠ΅ Π½Π°ΠΏΡΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π² ΡΠ»ΠΎΡΡ
ΠΊΡΠΈΡΡΠ°Π»Π»ΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° Π½Π΅ ΠΏΡΠ΅Π²ΡΡΠ°ΡΡ 1,1 ΠΠΠ°. ΠΠΎΡΡΡΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΡΡΠ½ΠΊΡΠΈΠΉ ΡΠ°Π΄ΠΈΠ°Π»ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠ°ΡΠΏΡΠ΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡ Π°ΡΠΎΠΌΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΎ ΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡΡ, ΡΡΠΎ Π°ΠΌΠΎΡΡΠ½ΡΠ΅ ΡΠ»ΠΎΠΈ Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° ΠΈΠΌΠ΅ΡΡ ΡΠ°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π°ΡΠΎΠΌΠΎΠ², Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΊ b-W. ΠΠΎ Π²ΡΠ΅Ρ
ΠΎΠ±ΡΠ°Π·ΡΠ°Ρ
Π·Π° ΡΡΠ΅Ρ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡΠ²ΠΈΡ Π½Π° ΠΌΠ΅ΠΆΡΠ°Π·Π½ΡΡ
Π³ΡΠ°Π½ΠΈΡΠ°Ρ
Π½Π°Π±Π»ΡΠ΄Π°Π΅ΡΡΡ ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡΠΈΠ»ΠΈΡΠΈΠ΄Π½ΡΡ
ΠΏΡΠΎΡΠ»ΠΎΠ΅ΠΊ, Π² ΡΠ΅Π·ΡΠ»ΡΡΠ°ΡΠ΅ ΡΠ΅Π³ΠΎ ΡΠ΅Π°Π»ΡΠ½Π°Ρ ΡΠΎΠ»ΡΠΈΠ½Π° ΡΠ»ΠΎΠ΅Π² Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° ΠΌΠ΅Π½ΡΡΠ΅ Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡΠ½ΠΎΠΉ. ΠΠΌΠΎΡΡΠ½ΡΠ΅ ΡΠΈΠ»ΠΈΡΠΈΠ΄Π½ΡΠ΅ ΠΏΡΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠΊΠΈ, ΠΎΠ±ΡΠ·Π°ΡΠ΅Π»ΡΠ½ΠΎ ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΡΡΡΠΈΠ΅ΡΡ Π½Π° ΡΡΠ°Π΄ΠΈΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡ ΠΠ Π, ΡΠΎΠ΄Π΅ΡΠΆΠ°Ρ Π΄ΠΈΡΠΈΠ»ΠΈΡΠΈΠ΄ Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ°. Π Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡ ΡΠΊΠΎΡΠΎΡΡΠΈ ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ Π΄ΠΈΡΠΈΠ»ΠΈΡΠΈΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ ΠΈΠΌΠ΅ΡΡ ΡΠ°ΡΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π°ΡΠΎΠΌΠΎΠ², Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊ ΡΠ΅ΡΡΠ°Π³ΠΎΠ½Π°Π»ΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ°Π·Π΅, t-WSi2 (~0,6 Π½ΠΌ/Ρ.), Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊ Π³Π΅ΠΊΡΠ°Π³ΠΎΠ½Π°Π»ΡΠ½ΠΎΠΉ ΡΠ°Π·Π΅, h-WSi2 (~0,15 Π½ΠΌ/Ρ.). ΠΡΠ΅Π΄ΡΡΠ°Π²Π»Π΅Π½Π° ΡΡΠΎΡΠ½Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Ρ ΡΡΡΠΎΠ΅Π½ΠΈΡ Π°ΠΌΠΎΡΡΠ½ΡΡ
ΠΠ Π W/Si. ΠΡΠ΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ ΠΌΠ΅Ρ
Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΡ ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΡΠΈΠ»ΠΈΡΠΈΠ΄Π½ΡΡ
ΠΏΡΠΎΡΠ»ΠΎΠ΅ΠΊ, ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΡΠΎΡΡΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠ΅ ΡΠΈΠ»ΠΈΡΠΈΠ΄Π½ΡΠ΅ ΠΏΡΠΎΡΠ»ΠΎΠΉΠΊΠΈ (W-Π½Π°-Si) ΡΠΎΡΠΌΠΈΡΡΡΡΡΡ ΠΏΡΠ΅ΠΈΠΌΡΡΠ΅ΡΡΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ Π·Π° ΡΡΠ΅Ρ Π±Π°Π»Π»ΠΈΡΡΠΈΡΠ΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅ΡΠ΅ΠΌΠ΅ΡΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π°ΡΠΎΠΌΠΎΠ² Π²ΠΎΠ»ΡΡΡΠ°ΠΌΠ° ΠΈ ΠΊΡΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΡ, Π° Π²Π΅ΡΡ
Π½ΠΈΠ΅ β Π²ΡΠ»Π΅Π΄ΡΡΠ²ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡΡΡΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅ΡΠ΅ΠΌΠ΅ΡΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΡ. Π‘Π΄Π΅Π»Π°Π½Π° ΠΎΡΠ΅Π½ΠΊΠ° ΠΊΠΎΡΡΡΠΈΡΠΈΠ΅Π½ΡΠΎΠ² Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΡΡΡΠ·ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡΠΎΡΡΠ΅ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΡΡΡΠ°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡΡ, ΡΡΠΎ ΠΎΡΠ°ΠΆΠ΄Π°Π΅ΠΌΠ°Ρ ΠΏΠΎΠ²Π΅ΡΡ
Π½ΠΎΡΡΡ ΡΠ»ΠΎΠ΅Π² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ Π±ΡΡΡ ΡΠ°Π·ΠΎΠ³ΡΠ΅ΡΠ°, ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡΠ΅ΠΉ ΠΌΠ΅ΡΠ΅, Π½Π° 250Β° Π²ΡΡΠ΅ ΡΠ΅ΠΌΠΏΠ΅ΡΠ°ΡΡΡΡ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ. ΠΡΠ΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ ΠΏΡΡΠΈ ΡΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΡΠ°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡΠ²ΠΈΡ